栅极

• JSM25N06 60V N 沟道 MOSFET

  对于常年和低压 MOSFET 打交道的电子工程师来说，“SI2308” 绝对是个熟悉的名字 —— 这款经典器件虽能满足基础场景需求，但随着电路功率提升、环境温度升高，其 “电流不足、损耗偏高、散热吃力” 的问题逐渐凸显，再加上进口器件的供货波动，不少项目都卡在了 “选型替换” 这一步。 今天要给大家推荐的，正是杰盛微（JSMSEMI）针对这些痛点推出的JSM25N06 N 沟道 MOSFET：不仅

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  2025/10/17

  国产芯片 N沟道MOSFET
• 驱动电路设计（十）——栅极电荷和应用

  驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景，然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。

  英飞凌

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  2025/09/25

  电路设计 驱动电路

  
• 杰盛微JSM2302 N 沟道 MOSFET 赋能低功耗电子设计！

  在当下电子行业，供应链波动、原厂器件供货紧张等问题，时常让硬件研发与采购团队陷入 “寻替代” 的困境。尤其是在低功率 DC-DC 转换、电池管理等关键领域，IRS2302 作为常用的 N 沟道 MOSFET，其供应稳定性直接影响项目进度。而杰盛微（JSMSEMI）自主研发的JSM2302，凭借与 IRS2302 高度兼容的性能、更优的电气特性及稳定的供应链，成为了众多工程师眼中的 “替代优选”。今

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  2025/09/25

  电阻 DC-DC
• 驱动电路设计（九）——栅极钳位

  驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景，然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。

  英飞凌

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  2025/04/08

  电路设计 驱动电路

  
• 栅极（Gate）的基本原理、材料选择和工艺方法

  在晶体管世界里，如果将晶体管比作一个可控的“水龙头”，那么栅极（Gate）就如同控制龙头开关的阀门，其重要性不言而喻。随着半导体工艺进入纳米时代，栅极的材料与制造工艺不断进步，成为提升器件性能的关键之一。

  老虎说芯

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  2025/03/24

  晶体管 栅极

  
• 为什么采用多晶硅作为栅极材料？

  学员问：为什么栅极的材料采用多晶硅？多晶硅栅的优势有哪些？栅极材料的变化？如上图，gate就是栅极，栅极由最开始的铝栅，到多晶硅栅，再到HKMG工艺中的金属栅极。

  TOM聊芯片智造

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  2025/02/07

  多晶硅 栅极
• 微结构不均匀性（负载效应）及其对器件性能的影响：对先进DRAM工艺中有源区形状扭曲的研究

  在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

  与非网编辑

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  2021/08/23

  dram 晶体管
• 栅极电压

  栅极电压是指场效应晶体管（FET）或金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）等器件中的一种重要参数，用于控制器件的导通与截止状态。栅极电压直接影响着半导体器件的性能、功耗和稳定性，在现代电子领域中具有重要作用。本文将探讨栅极电压的定义、原理、特性、测量方法、影响因素和应用场景。

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  2025/12/09

  电压 栅极
• 栅极电荷

  在功率半导体器件中，栅极电荷（Gate Charge）是一个关键参数，直接影响器件的开关性能、驱动电路设计以及整体效率。无论是MOSFET、IGBT还是宽禁带半导体器件（如SiC和GaN），栅极电荷的大小和特性都决定了器件在高频、高功率应用中的表现。

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  2025/07/01

  栅极 电荷
• 栅极电流

  栅极电流（Gate current）是指在场效应管、晶体管等半导体器件中，从栅极（Gate）流入或流出的电流。它在半导体器件的工作过程中起到重要的作用，对器件的性能和稳定性具有重要影响。

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  2023/05/25

  电流 栅极
• 栅极

  栅极是一种用于控制场效应管或金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等电子器件的元件。它通常是一个金属片或一组金属线构成的网格，位于器件的通道和漏极之间。

  wx喵不二~

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  2023/05/10

  栅极
• MOS管的栅极G、源极S、漏极D的判断方法

  MOS场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的器件。它由栅极（Gate）、源极（Source）、漏极（Drain）三个主要引脚组成。

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  2024/11/06

  场效应晶体管 栅极
• 栅极的检测方法 门极和栅极的区别

  晶体管是现代电子技术中常用的一种电子元件，而晶体管中的栅极也是十分重要的组成部分之一。下面我们来了解一下栅极的检测方法以及门极和栅极的区别。

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  2023/04/20

  栅极
• 栅极源极漏极怎么区分 源极栅极和漏极各有什么作用

  栅极是场效应晶体管的一个重要部分，它可以通过改变其电压来控制器件的导通与截止。在N型场效应晶体管中，栅极与源极之间存在一条类似二极管的结构，称为P-N结，而漏极则与源极相连。可以通过使用万用表或者示波器测量PN结的正负极性来确定栅极的位置。

  wx喵不二~

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  2023/03/16

  栅极

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