关于氮化镓的所有信息
Power Integrations发布基于氮化镓的InnoSwitch3 AC-DC变换器IC

深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员。

氮化镓在射频领域的优势盘点

氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体,也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外,氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键,该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。

射频前端市场机在哪里?有哪些代表性企业?

射频前端是无线连接的核心,随着5G支持的频段数量的增多,单个移动终端射频前端的数量和价值量也会迎来显著增长,未来射频前端市场增长空间广阔。为此,我们将为大家深度解读射频前端的产业现状、市场空间及代表性企业!

美军签9.58亿美元合同,生产氮化镓(GaN)雷达系统

据麦姆斯咨询报道,美国海军陆战队与全球最大的雷达制造商诺斯洛普·格鲁门(Northrop Grumman)签订了一份价值9.58亿美元的合同,用于全速生产另外30套基于氮化镓(GaN)的AN/TPS-80地面/空中多任务雷达(G/ATOR)系统。该计划由美国地面系统项目执行官负责管理。

氮化镓为什么重要?为什么是第3代先进半导体的新高地?

介绍了目前在民用半导体领域,包括第1代单晶硅芯片的制造,相应的光刻机技术现状;以及第2代砷化镓半导体产业的现状。实际上目前国际竞争的领域,已经延伸到了对第3代半导体技术的制高点争夺上。

海威华芯开发5G 氮化镓工艺,砷化镓工艺取得大进展

据海威华芯官方消息,公司已经开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺

【技术分享】氮化镓在导通电阻/过流保护中的应用解析

德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高(和降低)。

射频前端原件制造代工厂日子也不好过?主要还是受智能手机市场影响
射频前端原件制造代工厂日子也不好过?主要还是受智能手机市场影响

射频前端元件制造代工厂环宇、宏捷科,由于近期受到全球手机销量不佳影响,公告2019年1月及2月累积合并营收,分别为:6.4百万美元(年减34.6%)、6.8百万美元(年减20.1%)。整体而言,2019年第一季营收,预估较2018年第四季持续走跌。

做家电的公司要布局芯片?美的和三安集成电路合作想干什么?

3月26日,美的集团宣布与三安光电全资子公司三安集成电路战略合作,双方将共同成立“第三代半导体联合实验室”,共同推动第三代半导体功率器件的创新发展,加快国产芯片导入白色家电行业。

国产氮化镓材料量产提上日程,5G通信芯片有望用上国产材料

记者近日从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

5G通信芯片用氮化镓试制成功,这家研究院或可实现商业化?

近日,国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

随着汽车电子、5G、新能源汽车等产业的快速发展,第三代半导体应运而生,国内相关厂商有哪些?

汽车电子、5G技术、新能源汽车、轨道交通等产业的快速发展,提高了电子技术对高温、高功率、高压、高频的器件需求,于是第三代半导体应运而生。第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,发展较为成熟的是SiC和GaN。

InAlGaN晶体管实现了最高输出功率密度,怎么做到的?
InAlGaN晶体管实现了最高输出功率密度,怎么做到的?

研究人员发现基于GaN通道中电子流的高电压和高频能力,在微波高功率放大器中有很好的应用。在保证不失真的强信号传输中,需要具有高功率密度;在雷达系统中,高功率扩展了其检测范围。

车规级eGaN®FET使得激光雷达系统看到更清晰、更高效, 并且降低48 V车用功率系统的成本

宜普电源转换公司(EPC)宣布再多两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。EPC2206及EPC2212是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、分别是80 VDS 和100 VDS的分立晶体管。

不是GaN也不是石墨烯,一种突破硅技术限制的新材料被发现
不是GaN也不是石墨烯,一种突破硅技术限制的新材料被发现

在电力电子领域,当前仍然占据主导地位的硅技术将无法在可以预见的未来满足不断增长的需求。大学、弗劳恩霍夫协会和电力中心的科学家们已经联合起来,研究一种可以更好地满足未来工业需求的部件及新型材料结构。现在,这些科学家正在研究一种也许大多数电子工程师也未曾听说过的新材料:ScAIN。

氮化镓晶体管在功率转换应用中具有“获胜的优势”

硅基功率MOSFET作为半导体行业的首选功率转换器件,是一种替代双极晶体管的颠覆性技术,它促成创新发展、成为市场成长的驱动因素及致使全球销售总额高达120亿美元。从探讨这个转变背后的动力可了解到,控制全新功率转换技术的普及率有四大关键因素:

德州仪器用2000万个小时给出使用氮化镓(GaN)的理由

德州仪器(TI)氮化镓解决方案高级技术战略经理 Masoud Beheshti 近期发布了一篇标题为《德州仪器用2000万个小时给出使用氮化镓(GaN)的理由》的技术文章。

英飞凌氮化镓解决方案投入量产

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。

德州仪器新型即用型600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级产品组合可支持高达10kW的应用

德州仪器(TI)近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓(GaN),50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管(FET)相比,LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。

氮化镓IC将成为电动汽车市场的新生挑战者?
氮化镓IC将成为电动汽车市场的新生挑战者?

随着全球能源结构向低碳能源和节能运输转移,节能汽车产业面临着挑战。如今,整个电动汽车(EV)市场的增长率已经超过传统内燃机(ICE)汽车市场增长率的10倍。