扫码加入

汽车充电桩

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

电路方案

查看更多

设计资料

查看更多
  • SiC MOSFET“两粗两细” 引脚| TO247-4 再添新选择
    爱仕特近期发布的TO247-4S封装碳化硅(SiC)MOSFET,采用创新的“两粗两细”引脚配置,在继承TO247封装经典可靠性与广泛兼容性的同时,有效优化了驱动性能与系统集成度。 该封装采用差异化引脚布局——两根粗引脚承载主功率电流,两根细引脚专用于传输驱动信号,在延续传统封装成熟度与易用性的基础上,为高压功率转换系统提供了更精准、更可控的解决方案。其关键创新在于实现了开尔文源极与功率源极的物理
  • 充电桩安全新突破:B型漏电检测技术如何守护电动汽车充电安全?
    2025年我国新能源车渗透率首次突破50%(数据来源中国新能源网),2025年11月甚至冲到了59.5%,相当于每卖出100辆车就有近60辆是新能源车。随着电动汽车的普及,相关补能系统也不断完善,各大加油站也都添加了充电桩,全国高速公路服务区充电桩覆盖率也超过了98%,截至2025年11月全国电动汽车充电基础设施(枪)总数达到1932.2万个。在这背景下, 充电桩安全是业界备受关注问题,直流漏电无
  • 碳化硅MOS开尔文源TO-247-4S封装的Driver Source和Gate设计更细优势
    碳化硅MOSFET四脚封装(典型如TO-247-4或类似封装)中将Driver Source和Gate引脚特意设计得更细,这是一个精妙的工程优化,其好处和设计意图主要集中在 “增强开关性能”和“提高系统可靠性” 上。 简单来说,故意将驱动回路(Kelvin源极)的引脚做细,是为了引入一个可控的、微小的寄生电感,从而隔离高频驱动回路和主功率回路,抑制有害的栅极振荡和电压尖峰。 (在实际设计中遇到栅极
  • 大功率充电新时代:霍尔电流传感器在充电桩直流侧的关键应用
    近日,国家发展改革委、国家能源局、工业和信息化部、交通运输部四部门联合发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》,明确提出到2027年底,全国单枪充电功率达到250千瓦以上的大功率充电设施将超过10万台。这一政策不仅是对充电基础设施的量与质的双重提升,更是对电力电子技术、安全监测和能效管理的全面考验。大功率充电桩的普及,将加速新能源汽车充电网络的智能化升级,推动电动汽车、储能系统和智能电网的
  • GB 39752新规解读:充电桩漏电监测升级,芯森FR2V磁通门传感器如何助力合规?
    近年来,我国新能源汽车市场蓬勃发展,就连大互联网大厂也纷纷涉足新能源汽车行业,电动车汽车的保有量迅速增加,充电桩的需求也呈爆发式增长,“每5辆车就有2个充电桩”。充电桩安全也日益受到社会的广泛关注。国家能源局组织制定了强制性国家标准GB39752-2024《电动汽车供电设备安全要求》于2025年8月正式实施。新标准明确规定了充电桩必须具备漏电保护功能,以防止触电事故的发生。下文仅就基于磁通门技术的