SiC MOSFET“两粗两细” 引脚｜ TO247-4 再添新选择

爱仕特近期发布的TO247-4S封装碳化硅（SiC）MOSFET，采用创新的“两粗两细”引脚配置，在继承TO247封装经典可靠性与广泛兼容性的同时，有效优化了驱动性能与系统集成度。

该封装采用差异化引脚布局——两根粗引脚承载主功率电流，两根细引脚专用于传输驱动信号，在延续传统封装成熟度与易用性的基础上，为高压功率转换系统提供了更精准、更可控的解决方案。其关键创新在于实现了开尔文源极与功率源极的物理分离：通过两粗引脚（功率源极与漏极）和两细引脚（栅极、开尔文源极）的独立布局，有效解耦了驱动回路与功率回路，从而显著抑制了源极引线电感对栅极驱动的影响。这不仅有助于降低开关损耗、提升系统效率，也使得器件在安装焊接与驱动回路布局上更为简便，进一步优化了整体设计流程。