CVD

• 应用材料 AMAT/APPLIED MATERIALS 二手薄膜沉积CVD设备

  一、引言 化学气相沉积（CVD）设备作为半导体制造中的核心工艺设备，其性能稳定性直接决定晶圆成膜质量与生产良率。应用材料（AMAT/APPLIED MATERIALS）作为全球半导体设备领域的标杆企业，其Centura® Ultima HDP CVD®系列薄膜沉积设备凭借卓越的高密度等离子体控制能力、高深宽比填充性能及稳定的工艺重复性，广泛应用于90nm及以下节点逻辑芯片、3D NAND存储芯片的

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  半导体 CVD
• 【海翔科技】泛林半导体 Lam Research Reliant 系列 二手薄膜沉积CVD设备

  一、引言 化学气相沉积（CVD）设备作为半导体制造中的核心工艺设备，其性能稳定性直接决定晶圆成膜质量与生产良率。泛林半导体（Lam Research）作为全球半导体设备领军企业，其Reliant系列薄膜沉积CVD设备凭借卓越的高深宽比填充能力与低温沉积优势，广泛应用于先进逻辑芯片、3D NAND存储芯片等制造环节。二手设备因成本优势成为中小企业的重要选择，但需通过科学的拆机检测与现场验机规避性能衰

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  半导体 CVD
• 【海翔科技】泛林半导体 Lam Research Striker® 系列 二手薄膜沉积CVD设备

  一、引言 在半导体先进封装与高端逻辑芯片制造的薄膜沉积环节，化学气相沉积（CVD）设备是实现器件高密度集成与性能跃升的核心支撑，尤其在硅通孔（TSV）互连结构、金属间介质层及钝化层制备中发挥不可替代的作用。泛林半导体（Lam Research）作为全球半导体设备龙头企业，其Striker®系列CVD设备凭借超保形性沉积、低缺陷薄膜制备等核心优势，已成为高端晶圆厂与先进封装企业的标杆级装备，广泛应用

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  01/26 15:20

  半导体 CVD
• 【海翔科技】泛林半导体 Lam Research Striker® 系列 二手薄膜沉积CVD设备拆

  一、引言 在半导体先进封装与高端逻辑芯片制造的薄膜沉积环节，化学气相沉积（CVD）设备是实现器件高密度集成与性能跃升的核心支撑，尤其在硅通孔（TSV）互连结构、金属间介质层及钝化层制备中发挥不可替代的作用。泛林半导体（Lam Research）作为全球半导体设备龙头企业，其Striker®系列CVD设备凭借超保形性沉积、低缺陷薄膜制备等核心优势，已成为高端晶圆厂与先进封装企业的标杆级装备，广泛应用

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  半导体 CVD
• CVD多晶金刚石膜全景解析：制备路线、性能决定因素与产业化挑战

  多晶金刚石膜因其卓越的热导率（高达2000 W/(m・K)）成为解决高功率器件散热问题的理想材料。然而，其产业化面临三大挑战：高昂的CVD设备与运维成本、大尺寸膜的均匀性和应力管理难题，以及与现有产线的兼容性不足。目前，MPCVD、HFCVD、DC-HC CVD和DC arc jet CVD四种CVD技术各具特点，分别在不同应用场景中展现优势。优化热导率的关键在于控制晶粒尺寸、膜厚和晶面取向，并通过工艺参数调节和辅助物理场来实现。多晶金刚石膜在高功率器件中表现出色，如降低GaN HEMT器件的热阻和结温。未来的研究应集中在提高制备技术和拓展应用领域，同时深化对材料性能的基础理解。

  DT半导体

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  2025/11/23

  半导体材料 金刚石

  
• CVD金刚石薄膜与涂层：从制备技术到应用的全景解析

  在现代科技对材料性能要求日益严苛的背景下，金刚石凭借超高硬度、高热导率、宽禁带、化学惰性等优异理化特性，成为解决诸多工业瓶颈的理想材料 —— 例如传统金属刀具加工高硅铝合金、碳纤维复合材料时的 “高磨损、低效率” 问题，以及第三代半导体器件的散热难题。 然而，天然金刚石资源稀缺且价格昂贵，人工合成技术成为核心方向。其中，化学气相沉积（CVD） 因能制备高品质、高性能的金刚石材料，成为当前金刚石薄膜

  DT半导体

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  2025/09/03

  金刚石 CVD

  
• CVD工艺常用专业术语

  如果说PVD是“物理搬运工”，把靶材上的原子“敲”下来再贴到晶圆上，那么CVD就是“化学建筑师”，在晶圆表面通过精确控制的化学反应来“搭建”薄膜。 CVD工艺种类繁多，是制造中应用最广的薄膜技术之一，从栅极介电层、隔离层到层间介电层（ILD）和金属硬掩模（Hardmask），无处不在。对于有3-5年经验的工程师，理解以下这些术语，能让你从“操作员”思维转变为“工艺开发者”思维。 一、核心工艺参数与

  老虎说芯

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  2025/09/01

  CVD PVD

  
• CVD 金刚石薄膜与涂层：制备技术及关键领域应用

  金刚石凭借超高硬度、高热导率、宽禁带等优异理化性质，在众多领域展现出广阔应用前景。化学气相沉积（CVD）作为制备金刚石薄膜与涂层的核心技术，已实现多领域突破。接下来将阐述 CVD 金刚石的生长机理、制备技术、工艺调控及应用场景，并展望其未来发展方向。

  DT半导体

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  2025/07/24

  半导体材料 金刚石

  
• 七家布局CVD金刚石上市企业Q1业绩盘点

  2024年，CVD金刚石行业在复杂多变的市场环境中负重前行。 尽管技术迭代持续推动产能扩张，但金刚石功能化产品在半导体、热管理等高端应用领域的市场放量节奏显著慢于预期。产能的快速提升与终端需求的阶段性疲软，导致行业整体面临一定程度的供需错配压力。

  DT半导体

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  2025/05/30

  金刚石 CVD

  
• ATL联手上海洗霸加码多孔碳，硅碳负极商业化“快进”

  百公斤级流化床设备开启交付。近期，宁德新能源（ATL）对上海洗霸子公司山东复元的战略投资，以及百公斤级流化床设备的交付，标志着新型硅碳负极所需的关键原料和设备供应正加速成型。

  高工锂电

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  2025/04/20

  CVD 硅碳负极电池

  
• 人造金刚石产业新机遇：HTHP与CVD如何实现1+1＞2的协同效应？

  当前，人造金刚石产业正站在时代的风口，HTHP（高温高压法）和CVD（化学气相沉积法）作为两大核心生产技术，如何实现两个行业的协同发展？

  DT半导体

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  2025/01/12

  金刚石 CVD

  
• 集成电路薄膜工艺解析：CVD的原理、分类、应用、挑战与解决方案

  化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一种通过化学反应在晶圆表面沉积固体薄膜的工艺，是半导体制造中最为广泛应用的薄膜工艺之一。

  老虎说芯

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  2025/01/08

  集成电路 CVD

  
• 先进逻辑和3D存储的希望，PECVD、晶圆键合龙头——拓荆科技

  随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大， 芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nm CMOS 工艺，大约需要 40 道薄膜沉积工序。在 3nmFinFET 工艺产线，需要超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳

  王兵

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  2024/12/10

  与非研究院 CVD

  
• 5nm已量产，3nm还会远吗？重要性比肩光刻机的刻蚀设备——中微公司

  晶圆制造设备从类别上讲可以分为刻蚀、光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等十多类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂投资总额的 75%左右，其中刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。 根据Gartner统计的数据，2013年至2023年，半导体前道设备中，干法刻蚀设备市场年均增速超过15%，化学薄膜设备市场年均增速超过14%，这两类设备增速远高于其他种类的设备。 图|20

  王兵

  6048

  2024/11/12

  与非研究院 CVD

  
• 走过路过不要错过，进来看看全球半导体CVD/ALD设备商统计数据吧

  昨天发布了设备电源、离子源的供应商数据，我正考虑接下来发布什么数据时，就有我知识星球的会员私信向我要CVD设备的供应商数据。好吧，那我就整理发布一下吧，顺便把ALD的也一并发布了

  半导体综研

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  2024/11/06

  半导体设备 CVD

  
• 晶圆制造之化学气相沉积CVD工艺

  在制造集成电路时，有时候我们需要在硅片（也就是晶圆）表面上沉积一些特定的材料层，比如氮化硅（Si₃N₄）或氮氧化硅（SiON）。这些材料层不能直接从基板上生成，所以我们采用化学气相沉积（CVD）这种方法。

  老虎说芯

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  2024/09/17

  晶圆制造 CVD

  
• HDPCVD的原理

  知识星球里的学员问：麻烦介绍下HDPCVD的具体用途，原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等离子体化学气相沉积。它产生的等离子体密度非常高，通常在10¹¹至10¹² ions/cm³的量级。相比之下，PECVD的等离子体密度就很低了，在间隔宽度小于0.5μm的情况下，用PECVD填充高的

  TOM聊芯片智造

  3419

  2024/09/09

  CVD HDPCVD

  
• 什么是FCVD？

  学员问：昨天在直播的时候有你说FCVD，我之前是没有听过这类的CVD，可以详细介绍一下吗？FCVD，全称是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流动化学气相沉积。结合了旋涂电介质 (SOD) 优异的间隙填充性能和 CVD 的工艺稳定性，用来制造线宽在20 纳米以下的ILD（层间介电质）。

  TOM聊芯片智造

  1万

  2024/08/15

  CVD
• 晶圆制造CVD工艺面试知识点小结

  无锡某Fab工程师工作5年的王工分享了CVD工艺岗位的面试问题及知识点如下，仅供参考：

  老虎说芯

  2103

  2024/08/14

  晶圆制造 CVD

  
• 晶圆制造CVD工艺常见面试问题

  在无锡某Fab工程师工作5年的王工分享了CVD工艺岗位的面试问题：这些问题覆盖了CVD工艺的各个方面，包括基础知识、工艺优化、设备管理以及实际应用。

  老虎说芯

  3407

  2024/08/13

  晶圆制造 CVD

  

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