GaN HEMT

• AI数据中心高压中间母线转换器选型：GaN HEMT、SiC MOSFET等三种宽禁带功率器件对比

  本文介绍了高压中间母线转换器（HV IBC）在云计算供电架构中的应用，并对比分析了GaN HEMT、碳化硅MOSFET和SiC Cascode JFET三种宽禁带功率器件在高频开关条件下的性能。重点关注导通损耗、开关特性和缓冲电路需求。仿真结果显示，尽管三种器件的系统总损耗相近，但CJFET因其结构简单、驱动便捷，在成本方面具备显著优势。此外，三相LLC拓扑表现出更优的综合性能，降低了RMS电流并减少了元件数量。本研究为未来高压IBC设计提供了理论依据。

  安森美半导体

  812

  02/27 09:12

  转换器 SiC MOSFET
• 意法半导体新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和价值

  意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。

  与非网编辑

  1115

  2023/12/15

  意法半导体 LLC

  
• CGD 将首次亮相中国 PCIM Asia推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

  Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发并大批量生产了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 将首次参展 PCIM Asia，这是中国享誉行业的专业展会，专注于电力电子技术及其在智能移动、可再生能源和能源管理方面的应用。

  与非网编辑

  832

  2023/08/04

  电力电子 PCIM Asia
• 替换Si MOSFET这个创新打破了GaN HEMT应用的两个难题

  当前，以SiC和GaN为代表的第三代半导体在功率器件中的渗透率正在逐年上升。根据Yole的预测，虽然Si仍是功率半导体材料主流，但今年SiC的渗透率将有望达到3.75%，GaN的渗透率达到1.0%。 

  响指

  599

  2023/07/25

  第三代半导体 GaN HEMT

  
• 实测案例：1200V GaN HEMT功率器件动态特性测试

  氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。 传统氮化镓器件多用于消费类电子市场，研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子、新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的

  与非网编辑

  741

  2023/07/18

  示波器 功率器件

  
• AMEYA360:ROHM具有业界高性能的650V耐压GaN HEMT

  全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。

  AMEYA360

  455

  2023/05/19

  GaN HEMT
• ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT！

  全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。 据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （

  与非网编辑

  332

  2023/05/16

  ROHM GaN HEMT

  
• 借助高能效GaN转换器，提高充电器和适配器设计的功率密度

  如今，充电器和适配器应用最常用的功率转换器拓扑是准谐振（QR）反激式拓扑，因为它结构简单、控制简便、物料（BOM）成本较低，并可通过波谷切换工作实现高能效。

  与非网编辑

  123

  2022/03/29

  英飞凌 转换器

正在努力加载...