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  • 详解Cascode SiC JFET在LLC中的应用：优势与dv/dt 控制
    共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（CJFET）因其高耐压、低导通损耗和高速开关等特点，在LLC谐振变换器中有广泛应用前景。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）可能导致电压过冲、EMI等问题，尤其是在高电流工况下。本文提出了一种通过在器件两端并联电容缓冲电路（C-snubber）来控制dv/dt的方法，从而降低开关损耗。实验结果表明，这种策略在大电流LLC设计中能够有效提升系统效率。此外，文章还探讨了外部Cds对死区时间和dv/dt的影响，为实际应用提供了指导。
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    07/08 09:35
    LLC SiC CJFET
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  • 1MHz GaN 堆叠 LLC 与平面矩阵变压器核心底层技术深度拆解
    LLC谐振转换器适用于AI高压配电，其软开关特性使高频运行下的效率保持较高水平。然而，在800V高压场景下，传统单级LLC面临功率管电压应力高、次级整流管电流应力大等问题。为此，ST提出了一种创新的堆叠式LLC拓扑架构，通过双LLC串联输入、并联输出的方式，降低了器件应力，并且采用了高频化的宽禁带GaN器件，实现了1MHz的超高开关频率。此外，还优化了PCB平面矩阵变压器的设计，提高了功率密度和电气性能。最后，STM32G4数字高精度控制体系提供了强大的控制能力和全面的安全保护措施。
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    06/25 17:48
    LLC 谐振转换器
  • 碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET
    摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》。本文将介
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    06/16 10:25
    碳化硅 MOSFET
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  • Power Integrations将反激拓扑功率范围扩展至440W，打造比谐振设计更简洁的电源方案
    新款TOPSwitchGaN IC将输出功率提升一倍以上，同时降低系统成本、简化系统结构并缩短设计周期 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出了一项反激拓扑的突破性技术，将反激变换器的功率范围扩展至440W——远超传统上需要更复杂的LLC谐振拓扑结构所能达到的极限。全新的TOPSwitchGaN™反激式IC系列产品将
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    03/24 09:50
    散热器 Power Integrations
    Power Integrations将反激拓扑功率范围扩展至440W，打造比谐振设计更简洁的电源方案
  • STM32G474 实战方案：三相 LLC+SR 拓扑的 18 路 PWM 精准产出实现
    随着 AI 服务器算力需求的爆发式增长，供电系统功率密度持续升级，单个电源模块功率已从传统 2~3KW 向 5.5KW、8.5KW 跨越。三相 LLC+SR（同步整流）拓扑因高效、高功率密度的优势，成为大功率服务器电源的核心选择。本文基于 STM32G474 微控制器，提出 “高精度定时器（HRTIMER）+ 高级控制定时器（ADTIMER）+ 通用定时器（GPTIMER）” 协同工作的 PWM 产出方案，完美满足三相 LLC+SR 拓扑对 18 路 PWM 的核心需求，为大功率电源控制提供可靠技术支撑。
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    2025/12/30
    同步整流 LLC
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