IGBT芯片_IGBT芯片资讯

焊点空洞成因深度解析：傲牛SAC305锡膏的空洞抑制方案

焊点空洞作为功率器件封装焊接中的典型缺陷，其存在会显著降低焊点导热导电性能，加剧热应力集中，最终影响器件长期可靠性。在实际工程应用中，空洞率超标是导致产品可靠性测试失效的核心诱因之一。本文将从锡膏配方、焊接工艺两大维度，系统拆解空洞形成的核心成因，并详细阐述傲牛科技带空洞抑制剂SAC305锡膏的技术原理与应用优势。一、焊点空洞的核心成因：气体残留的“生成-逸出”失衡焊点空洞的本质是焊接过程中产

傲牛科技

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17分钟前

汽车电子锡膏

CGD發佈突破性100kW+技術，推動氮化鎵（GaN）進軍超100億美元電動汽車逆變器市場

無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公佈了關於ICeGaN® GaN 技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，這一市場規模預計超過100億美元。Combo ICeGaN®通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

与非网编辑

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03/12 08:17

SiC GaN

CGD發佈突破性100kW+技術，推動氮化鎵（GaN）進軍超100億美元電動汽車逆變器市場

英飞凌IGBT7系列芯片大解析

上回书说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。

英飞凌

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01/16 11:45

英飞凌 IGBT

功率器件，2024年的机会在哪里？

2023年对整个半导体产业来说并不轻松。根据WSTS的数据，2023年半导体元器件行业市场规模为5201亿美元，下跌9.4%，在所有元器件细分品类中，以功率器件为代表的分立器件是去年唯一正增长的，全年预计增长5.8%。作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，按照下游应用划分，汽车领域占比达40%，其次是工业占比27%，消费电子占13%，其他领域（如通讯、计算机等领域）占20%

史德志

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2024/01/11

GaN 氮化镓

万万没想到打败汽车的不是汽油，而是芯片

相比手机、电脑芯片新产品发布会有时比春晚还热闹的景象，汽车芯片领域一直不太受普通大众关注。直到2020年开始，汽车芯片出现了严重短缺，甚至出现了供应商囤积居奇的魔幻场景。

BOO聊通信

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2021/08/11

MCU 汽车芯片

IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？

俗话说，好马配好鞍，好IGBT自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电平关断、软关断、欠压保护等，为IGBT的安全运行保驾护航。

英飞凌

116

2020/12/28

英飞凌 IGBT

硬科技股权融资重点项目推荐（三季度）

硬科技股权融资重点项目推荐（三季度）：半导体、信创、5G、网络安全、AI、物联网等

步日欣

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2020/07/10

物联网人工智能

frd芯片与igbt芯片有什么区别

FRD（Fast Recovery Diode，快恢复二极管）和 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是电力电子领域中常见的两种功率半导体器件。它们在结构、工作原理、特性以及应用领域上有明显的区别。以下将介绍这两种芯片的区别。 1. FRD芯片和IGBT芯片的基本特点 FRD：结构特点： FRD是一种二极管，具有快速恢复特性，用于电源

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07/25 14:15

芯片 IGBT

igbt芯片是什么意思

IGBT芯片是一种新型电力电子器件，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。从2008年华微电子开始研制第一代IGBT芯片至今，其已研发出四代IGBT芯片，目前正在开发集成电流传感和温度传感的第五代IGBT芯片。

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2021/12/07

IGBT芯片