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N沟道MOSFET

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  • SM18N20C 220V N 沟道 MOSFET TO-220-3L
    在开关电源、UPS、功率因数校正（PFC）等电力电子领域，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。长期以来，IRF640 作为一款经典的 200V N 沟道 TO-220 封装 MOSFET，被广泛应用于各类中高压电源场景。但随着技术迭代与市场对性能要求的提升，工程师们开始寻求更高效、更可靠的替代方案。今天，我们就为大家介绍杰盛微（JSMICRO SEMICOND
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    10/27 08:21
    封装 N沟道MOSFET
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    封装 N沟道MOSFET
  • JSM25N06 60V N 沟道 MOSFET
    对于常年和低压 MOSFET 打交道的电子工程师来说，“SI2308” 绝对是个熟悉的名字 —— 这款经典器件虽能满足基础场景需求，但随着电路功率提升、环境温度升高，其 “电流不足、损耗偏高、散热吃力” 的问题逐渐凸显，再加上进口器件的供货波动，不少项目都卡在了 “选型替换” 这一步。 今天要给大家推荐的，正是杰盛微（JSMSEMI）针对这些痛点推出的JSM25N06 N 沟道 MOSFET：不仅
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    10/17 08:52
    国产芯片 N沟道MOSFET
  • 杰盛微JSM2302 N 沟道 MOSFET 赋能低功耗电子设计！
    在当下电子行业，供应链波动、原厂器件供货紧张等问题，时常让硬件研发与采购团队陷入 “寻替代” 的困境。尤其是在低功率 DC-DC 转换、电池管理等关键领域，IRS2302 作为常用的 N 沟道 MOSFET，其供应稳定性直接影响项目进度。而杰盛微（JSMSEMI）自主研发的JSM2302，凭借与 IRS2302 高度兼容的性能、更优的电气特性及稳定的供应链，成为了众多工程师眼中的 “替代优选”。今
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    09/25 11:41
    电阻 DC-DC
  • 600KHZ固定频率24V/800mA同步降压转换器具有轻载PFM节能模式
    PCD2203 是一款 3.8V-24V 的宽输入电压范围同步降压转换器，拥有 30V 输入过压保护，能够驱动 0.8A 的负载。内部集成两个低 RDSON 功率管，可减小导通损耗，提高效率。该芯片采用峰值电流模式控制，可以实现优秀动态性能，也使得外围补偿电路简单，由于开关频率固定为 600K，可以选用小尺寸电感、电容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封装，可以实现小尺寸的电源解决方案。具有15uA 静态工作电流与 2uA 关断电流，适用于低功耗要求的供电系统。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保护，输入 OVP 以及热关断功能。
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    2024/04/25
    同步降压转换器 N沟道MOSFET
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  • 40V/1A高性能小体积同步降压转换器外部只需极少元器件
    PC2201是一款采用电流模式的降压开关电源芯片。在输入电压范围为4.7V~40V的情况下， PC2201可提供高达1A的输出电流。PC2201内部集成了两个N沟道MOSFET和同步功率开关，可以在不使用外部肖特基二极管的情况下提高电源转换效率。 PC2201还采用了专利的控制方案，在轻载时将芯片切换到节能模式，从而扩展了高效率运行的范围。
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    2024/04/25
    同步降压转换器 开关电源芯片
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  • 全球首款！美国国家材料科学研究所（NIMS）：N型导电性沟道金刚石场效应晶体管！
    近期，美国国家材料科学研究所（NIMS）团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管（MOSFET）。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化（在一个半导体基板内集成多个器件），实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体（CMOS）集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on N-Type Diamond”为题发表在Advanced Science上。这也为金刚石在功率电子学中的应用迈出重要的一步提供了证据。
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    2024/03/20
    场效应晶体管 N沟道MOSFET
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  • mos管n沟道和p沟道的区别
    MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的半导体器件，被广泛应用于电子电路中。MOS管根据其沟道类型可以分为N沟道和P沟道两种类型。
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    2024/01/23
    MOS管 N沟道MOSFET
  • n沟道mos管和p沟道mos管如何区分 n沟道和p沟道导通条件
    在mos管中，每个晶体管都有一个栅极、漏极和汇极。而沟道是指栅极和源极（或漏极）之间形成的导电途径。n沟道mos管和p沟道mos管之间最大的区别在于沟道中注入的掺杂物不同。n沟道中掺杂的是与硅原子电子数量相比较少的杂质（如磷），而p沟道中掺杂的则是与硅原子电子数量相比较多的杂质（如硼）。
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    N沟道MOSFET P沟道MOSFET

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