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N沟道MOSFET

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  • 惠海 60V25A HC031N06L NOMS管选型推荐，大电流低导通电阻，DC/DC转换器首选
    一、产品概述 HC031N06L 是东莞市惠海半导体有限公司推出的一款 60V N沟道沟槽型功率MOSFET（Trench Power MOSFET）。该产品采用先进的沟槽工艺技术（Trench Technology），在 60V耐压 下实现了极低的导通电阻 RDS(ON)仅26mΩ，同时具备低栅极电荷和 低至10V的栅极驱动电压 工作能力，非常适用于DC/DC转换器、高频开关电源及同步整流等应用
    129
    10/13 13:43
    N沟道MOSFET
  • 德欧泰克DID3A2N65 650V/3.2A N沟道MOSFET
    欧盟规定49W以下AC-DC适配器待机功耗2020年不超100mW、2028年降至75mW，并限定各负载效率。低栅极电荷与低导通电阻MOSFET可降低开关损耗、提升能效。德欧泰克DID3A2N65 650V/3.2A N沟道MOSFET具低Qg、低Rds、快开关和I-PAK封装，适配紧凑型电源适配器。
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    10/09 07:11
    开关电源 电源适配器
    德欧泰克DID3A2N65 650V/3.2A N沟道MOSFET
  • JSM3404，一款 30V N 沟道增强型沟槽 MOSFET
    在消费电子、工业电源设备不断朝着小型化、高功率密度、高效率方向迭代的当下，SOT‑23 这种经典小贴片封装，依旧是硬件工程师方案选型里无法绕开的选择。很多工程师在项目开发中经常遇到现实难题：小体积贴片 MOS 管标称电流好看，实际带载就严重发热；MCU 仅 4.5V 驱动电平下 MOS 管导通效果差；感性负载冲击容易造成器件损坏；同时还面临进口器件交期波动、成本压力大等多重困扰。 针对低压大电流贴
    587
    09/09 15:22
    N沟道MOSFET
  • JSM130N06Q5 N 沟道沟槽 MOSFET
    在电源、电机驱动、电池管理等功率类硬件开发中，MOSFET 作为电能开关的核心器件，直接决定整机的转换效率、温升表现、功率密度以及长期运行可靠性。随着设备不断向小型化、大功率方向迭代，工程师常常面临一组矛盾：既要器件体积小巧，满足 PCB 高密度布局；又要实现大电流承载、极低导通损耗，同时兼顾开关性能与散热能力。很多传统器件很难同时兼顾以上需求。 作为深耕功率分立器件研发制造的本土厂商，杰盛微（J
    221
    09/01 17:33
    N沟道MOSFET
  • JSM8820 20V 双 N 沟道器件
    随着消费电子小型化、便携设备续航升级、供应链自主可控需求持续走高，低压电源管理赛道对双路集成 MOSFET 提出低导通损耗、小封装、逻辑电平驱动、稳定供货四大硬性要求。 过往行业大量使用的 20V 双 N 沟道器件 AO8820，常面临交期波动、采购成本上浮等供应链难题。深耕功率半导体领域的本土厂商杰盛微（JSMSEMI），依托自研高密度沟槽 Trench 工艺，推出同源规格国产型号JSM8820
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    08/18 10:55
    N沟道MOSFET
  • JSM4800双 N 沟道增强型 MOSFET
    在笔记本、便携数码、锂电池供电设备的 DC-DC 同步降压方案里，SOP-8 双 N 沟道 MOSFET 一直是电源设计的核心器件。长期以来，行业内大量硬件工程师选用经典 30V 双管方案 AO4800，但供应链波动、交期不稳定、成本持续上涨等问题，不断给量产项目带来交付压力。 为解决行业国产化替代刚需，深圳市杰盛微半导体（JSMSEMI） 基于成熟沟槽 MOS 工艺，全新推出JSM4800双 N
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    07/30 14:52
    锂电池 N沟道MOSFET
  • 42mΩ低导通电阻，AEC-Q101车规认证 —— DMN4035LQ，为汽车电源管理而生
    在汽车电子与工业电源管理领域，功率开关器件的选择直接影响系统的效率与可靠性。Diodes Incorporated 推出的 DMN4035LQ N沟道增强型 MOSFET，凭借其车规级认证、低导通电阻与紧凑封装，为工程师提供了一款兼具性能与可靠性的优选方案。深圳市芯必得科技有限公司，产品原装正品、现货充足，可提供样品支持与专业技术选型服务。欢迎广大客户来电咨询、索取资料或洽谈合作，芯必得科技竭诚为
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    07/28 10:49
    电阻 N沟道MOSFET
  • JSM2N65D 650V N 沟道 MOSFET
    在电力电子技术飞速发展的今天，高频开关电源、有源功率因数校正电路已经成为工业设备、智能家居、安防、照明等领域的核心组成部分。市场对电源产品的转换效率、运行稳定性、体积尺寸、使用寿命提出了越来越严苛的要求。 作为电路中的核心功率器件，高压 MOSFET 的性能直接决定了整台设备的综合表现。杰盛微（JSMSEMI）专注功率半导体研发与生产，深耕中小功率电源赛道多年，凭借成熟的工艺技术与严格的品控体系，
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    06/14 08:56
    N沟道MOSFET
  • 同步降压控制器▪简介
    本文介绍了两种同步降压控制器的应用实例：一种是使用P-MOSFET的LM1770SMF/NOPB控制器，其内部原理框图和典型应用电路展示；另一种是使用N-MOSFET的LM5116MH/NOPB控制器，同样展示了其内部原理框图和典型应用电路。两款控制器均适用于宽输入电压范围，并具备较高的转换效率。
    3418
    03/05 08:34
    N沟道MOSFET 降压控制器
  • 新品上市|MDD82052那么小又那么大，原来是这颗MOS
    MDD8205是一款高性能双N沟道MOSFET，具备20V耐压、低导通电阻和超快开关速度，特别适用于高电流、微型化设计的智能家电和电动工具。它具有高电流承载能力、超低导通损耗、微型封装和宽温运行等特点，能够有效提升设备的效率和可靠性，并适用于多种应用场景，如便携式设备负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和LCD显示逆变器等。
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    02/28 13:54
    N沟道MOSFET
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  • MDD辰达推出大电流低内阻MOS，助力电机驱动管理系统新突破
    MDD辰达半导体推出采用先进Trench工艺的N沟道MOS——MDD100N03D，最大亮点在于极低的导通电阻和反向恢复电荷，确保高效能和低损耗。该产品经过严格测试，100%通过UIS测试，符合RoHS规范，广泛应用于电机驱动、不间断电源、直流/直流转换系统等领域，提供卓越的性能和可靠性。
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    02/28 08:34
    N沟道MOSFET
    MDD辰达推出大电流低内阻MOS，助力电机驱动管理系统新突破
  • SM18N20C 220V N 沟道 MOSFET TO-220-3L
    在开关电源、UPS、功率因数校正（PFC）等电力电子领域，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。长期以来，IRF640 作为一款经典的 200V N 沟道 TO-220 封装 MOSFET，被广泛应用于各类中高压电源场景。但随着技术迭代与市场对性能要求的提升，工程师们开始寻求更高效、更可靠的替代方案。今天，我们就为大家介绍杰盛微（JSMICRO SEMICOND
    1137
    2025/10/27
    封装 N沟道MOSFET
  • JSM57N10C 100V N 沟道 MOSFET TO-220 封装
    在开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）等中低压电力电子系统中，MOSFET 作为核心开关器件，其性能直接决定了整机的效率、可靠性与成本。长期以来，IRFR3410 作为一款经典 100V N 沟道 MOSFET，在市场中应用广泛，但随着终端设备对大电流、低损耗、高可靠性的需求升级，寻找性能更优、性价比更高的替代方案成为众多工程师与采购的核心诉求。 今天，我们要为大家重
    1289
    2025/10/23
    封装 N沟道MOSFET
  • JSM25N06 60V N 沟道 MOSFET
    对于常年和低压 MOSFET 打交道的电子工程师来说，“SI2308” 绝对是个熟悉的名字 —— 这款经典器件虽能满足基础场景需求，但随着电路功率提升、环境温度升高，其 “电流不足、损耗偏高、散热吃力” 的问题逐渐凸显，再加上进口器件的供货波动，不少项目都卡在了 “选型替换” 这一步。 今天要给大家推荐的，正是杰盛微（JSMSEMI）针对这些痛点推出的JSM25N06 N 沟道 MOSFET：不仅
    1345
    2025/10/17
    国产芯片 N沟道MOSFET
  • 杰盛微JSM2302 N 沟道 MOSFET 赋能低功耗电子设计！
    在当下电子行业，供应链波动、原厂器件供货紧张等问题，时常让硬件研发与采购团队陷入 “寻替代” 的困境。尤其是在低功率 DC-DC 转换、电池管理等关键领域，IRS2302 作为常用的 N 沟道 MOSFET，其供应稳定性直接影响项目进度。而杰盛微（JSMSEMI）自主研发的JSM2302，凭借与 IRS2302 高度兼容的性能、更优的电气特性及稳定的供应链，成为了众多工程师眼中的 “替代优选”。今
    929
    2025/09/25
    电阻 DC-DC
  • 600KHZ固定频率24V/800mA同步降压转换器具有轻载PFM节能模式
    PCD2203 是一款 3.8V-24V 的宽输入电压范围同步降压转换器，拥有 30V 输入过压保护，能够驱动 0.8A 的负载。内部集成两个低 RDSON 功率管，可减小导通损耗，提高效率。该芯片采用峰值电流模式控制，可以实现优秀动态性能，也使得外围补偿电路简单，由于开关频率固定为 600K，可以选用小尺寸电感、电容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封装，可以实现小尺寸的电源解决方案。具有15uA 静态工作电流与 2uA 关断电流，适用于低功耗要求的供电系统。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保护，输入 OVP 以及热关断功能。
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    2024/04/25
    同步降压转换器 功率MOSFET
    600KHZ固定频率24V/800mA同步降压转换器具有轻载PFM节能模式
  • 40V/1A高性能小体积同步降压转换器外部只需极少元器件
    PC2201是一款采用电流模式的降压开关电源芯片。在输入电压范围为4.7V~40V的情况下， PC2201可提供高达1A的输出电流。PC2201内部集成了两个N沟道MOSFET和同步功率开关，可以在不使用外部肖特基二极管的情况下提高电源转换效率。 PC2201还采用了专利的控制方案，在轻载时将芯片切换到节能模式，从而扩展了高效率运行的范围。
    407
    2024/04/25
    同步降压转换器 功率MOSFET
    40V/1A高性能小体积同步降压转换器外部只需极少元器件
  • 全球首款！美国国家材料科学研究所（NIMS）：N型导电性沟道金刚石场效应晶体管！
    近期，美国国家材料科学研究所（NIMS）团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管（MOSFET）。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化（在一个半导体基板内集成多个器件），实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体（CMOS）集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on N-Type Diamond”为题发表在Advanced Science上。这也为金刚石在功率电子学中的应用迈出重要的一步提供了证据。
    738
    2024/03/20
    N沟道MOSFET 场效应晶体管
    全球首款！美国国家材料科学研究所（NIMS）：N型导电性沟道金刚石场效应晶体管！
  • mos管n沟道和p沟道的区别
    MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种重要的半导体器件，被广泛应用于电子电路中。MOS管根据其沟道类型可以分为N沟道和P沟道两种类型。
    2056
    2024/01/23
    MOS管 N沟道MOSFET
  • n沟道mos管和p沟道mos管如何区分 n沟道和p沟道导通条件
    在mos管中，每个晶体管都有一个栅极、漏极和汇极。而沟道是指栅极和源极（或漏极）之间形成的导电途径。n沟道mos管和p沟道mos管之间最大的区别在于沟道中注入的掺杂物不同。n沟道中掺杂的是与硅原子电子数量相比较少的杂质（如磷），而p沟道中掺杂的则是与硅原子电子数量相比较多的杂质（如硼）。
    703
    2023/04/13
    N沟道MOSFET P沟道MOSFET

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