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WT5113非隔离220V降18V芯片

2023/08/25
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WT5113宽输出范围非隔离交直流转换芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率6W,输出500mA非隔离开关电源。

WT5113内置650V高压启动电路,实现系统快速启动、低功耗待机功能。具有软启动功能,能够减小器件的应力,防止变压器饱和。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护,另外WT5113的降频调制技术有助于改善EMI特性。采用DIP-7封装

特性 :

*内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET

*内置高压启动

*优化适用于12V-18V输出非隔离应用

*功率6W输出500mA

*降频

*软启动

*优异的负载调整率和工作效率

*保护功能

优异保护功能

过流保护(OCP)

过温保护(OTP)

欠压保护(UVLO)

应用:

*非隔离辅助电源
*小家电

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742792114 1 Wurth Elektronik WE-CBF SMD EMI Suppression Ferrite Bead

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A3P125-VQG100 1 Microsemi FPGA & SoC Field Programmable Gate Array, 125000 Gates, CMOS, PQFP100, 0.50 MM PITCH, GREEN, VQFP-100
$11.62 查看
A3P1000-2FG484I 1 Microsemi Corporation Field Programmable Gate Array, 24576 CLBs, 1000000 Gates, 350MHz, CMOS, PBGA484, 23 X 23 MM, 2.23 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-484
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