打磨存储产品的几个方向 由新兴的应用需求决定

作为非易失性存储器，NOR Flash被广泛应用于各类电子设备中，用于存储启动代码、固件、操作系统以及其他重要数据。近年来，由于物联网、手机OLED屏幕、5G基站，以及汽车电子等新兴领域的发展，推动了NOR Flash的新机遇。

自2009年推出第一颗SPI NOR Flash以来，兆易创新便开始了飞速发展的旅程。日前，在第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会上，兆易创新Flash 事业部产品市场经理张静详细介绍了该公司Flash产品的发展和布局。

全球市场占有率超过20%，连续十年市占率位列前三，SPI NOR Flash在市场上的表现可谓抢眼。截至目前，兆易创新的Flash产品出货量已经超过200多亿颗，这也就意味着该公司的Flash支持着超过200亿台电子设备的启动。

随着物联网、5G等技术的快速发展，Flash在这些领域的需求也在不断增长。此外，随着汽车电子化程度的提高，Flash在汽车领域的应用也在逐步扩大。这些新兴应用成为兆易创新Flash产品规划的目标，十年来，该公司产品不断丰富和拓展。目前，兆易创新的存储产品线涵盖NOR Flash和NAND Flash两大类型，涵盖多个产品系列、封装类型以及温度等级，以适应不同市场应用的需求。

多样化需求的影响

不同的应用系统由于其复杂程度和特定需求，对Flash有着不同的需求，主要是容量、性能、电压、封装等几个方面。

张静表示，在各种应用中，对Flash容量的需求有着极大的跨度，即使在相同类型的设备中，Flash的容量需求也是多样化的。目前，市场对Flash的容量需求主要集中在512Kb到8Gb之间，兆易创新的产品线完全覆盖了这个范围。

性能方面，虽然大部分应用并不要求Flash具有很高的性能，但随着物联网、可穿戴设备和汽车电子等新兴领域的发展，对Flash性能的需求也在逐步提高。这些领域希望Flash不仅能够存储数据，还能够直接运行代码，从而节省RAM的空间和成本，提高系统的整体性能。

对此，兆易创新推出了T系列和LT系列高性能产品，最高可以支持到每秒200Mb，这是当前业界四口产品可以达到的最高性能。对于需要更高性能的应用，兆易创新还推出了八口SPI Flash，其性能最高可以支持到每秒400Mb，为当前业界最高。

当前，节约能源的设计理念已成为半导体行业的共识，在此背景下，低电压、低功耗的Flash解决方案越来越受到市场的欢迎。响应这一趋势，兆易创新推出了四种不同电压范围的产品，分别为3V、1.8V、1.2V以及针对电池供电应用的1.65V~3.6V宽压供电的产品系列。

这些不同电压类型的解决方案，满足了不同类型应用的需求。例如，工业控制、计算机、电表、网通这类应用仍需要3V电压的Flash；可穿戴、手机屏、计算机、笔记本电脑这类应用需要1.8V的低电压Flash；而摇控器、追踪器这类应用则需要更宽的电压范围。

在封装方面，随着集成度的提高，各种应用对Flash的封装形式也提出了不同的需求。兆易创新推出了业界首颗1.2×1.2mm的封装形式USON6，这种封装易于焊接和封装，且比较耐用。此外，他们还推出了WLCSP封装，可以做到和裸die封装尺寸大小一致，实现了产品中最小的封装形式。该类型目前在消费类上，如穿戴式设备上使用较多。

在扩大封装容量上，兆易创新也提出了不同的解决方案。他们在64Mb的容量上推出了业界最小尺寸的3×2mm FO-USON 8封装，与USON 3×2mm封装形式完全兼容，扩大了封装容量的同时保证了设备的兼容性。当前USON 8 3×2mm的封装最大可支持容量是32Mb，而兆易创新的封装可以做到64Mb，满足了客户的扩容需求，而无需更新PCB。与当前64Mb主流的封装USON 4×4mm相比，3×2mm的封装空间体积减少了70%，为紧凑型设计提供了更大的灵活性。

此外，在128Mb的容量上，兆易创新推出了业界最小尺寸的3×3mm的FO-USON8封装，可以和传统的USON8 3×3mm封装完全兼容。当前业界USON8 3×3mm最大的可支持容量是64Mb，如果想扩容到128Mb，用户无需更新PCB。和主流的128Mb USON8 6×5mm封装相比，在空间体积上，3×3mm的封装减少了85%的空间体积，优势明显。

先进制程工艺的影响

随着先进制程工艺的发展，SoC制程工艺节点的降低也带来了电压的降低和功耗的优化。并且，低电压操作也可以提高设备的可靠性和稳定性。高性能、低电压、低功耗的SoC需求对Flash存储器提出了更高的要求，传统的NOR Flash已经无法满足SoC的性能和能效需求。

如前文所述，为了满足不同应用对 Flash的需求，兆易创新推出了多种解决方案，在高性能、低电压、低功耗几个方向上推出了不同的产品。如T系列和LT系列Flash，适用于对性能要求较高的应用；核心电压为1.2V的Flash可以直接与核心电压为1.2V的SoC进行通信，简化了电路设计并降低了功耗；另外还有核心电压保持1.8V，IO接口电压降低到1.2V的产品，它同样可以在与核心电压为1.2V的SoC通信时简化电路设计并降低功耗。针对多电源系统，兆易创新也推出了不同电压的IO接口和核心供电的Flash产品。

张静表示，从性能来看，1.2V VIO和1.8V的方案都可以保持高性能的水平，但1.2V的功耗可以做到最低，其次是1.2V的VIO。所以对于先进工艺制程的1.2V的SoC，如果对高性能没有特别高的要求，可以选择1.2V的方案产品。但对于一些汽车电子、手机、智能识别的应用，对于高性能和低功耗都有需求的，1.2V VIO的方案是最理想的选择，该方案也是兆易创新在业界首推的方案，目前已有样品提供。

结语

从产品布局看，目前兆易创新的存储产品线可以支持27大产品系列、16种产品容量、4个电压范围、7款温度规格、29种封装方式。这些产品围绕着全容量、高性能、低功耗、小封装的需求而布局，将为兆易创新未来的发展提供强大的后劲。