5G的关键技术：氮化镓

在日前举办的IC China 化合物半导体产业趋势论坛上，Qorvo应用市场总监黄靖先生作了一个题为《5G关键技术：GaN》的演讲，为我们大家披露了这种化学物半导体在5G的“妙用”。

Qorvo 应用市场总监 黄靖

在黄靖看来，从4G往5G升级的过程中，我们将会看到化合物半导体的爆发性增长。尤其是在5G MIMO PA带来的增长势头更是凶猛。在未来几年，不论在5G基站还是4G基站中，氮化镓将成为市场的主流选择并将具有强大的商业增长动力。

以国内为例，黄靖指出，今年国内部署的5G基站将会达到10万个，而到了2020年，国内将会迎来四十万到八十万规模的5G基站部署。5G MIMO阵面将达到64个天线。这样庞大的天线阵在功耗，尺寸，成本等方面都面临前所未有的挑战。如何运用先进的复合半导体工艺达到最优的系统指标成为5G MIMO的关键之一。

对于运营商来说，如何在5G基站的成本，可靠性，性能等方面找到一个最优方案，也成为他们着重考虑的问题。在传统材料的局限开始凸显的时候，氮化镓就开始走到了前台。

黄靖表示，氮化镓材料本身的特性让它们拥有如高可靠性、高带宽和支持更高的频率的特点，如果想要做到同样的性能指标，氮化镓器件的尺寸会较之其材料小很多，这也是氮化镓的一个必须要谈的优势。因为这样的话，利用氮化镓器件打造的产品尺寸和成本都会下降，整机效率获得了极大的提升。整个设备的尺寸变小，也更便于塔上安装。

“氮化镓带来的上述优势是其它材料所不能达到的”，黄靖强调。“作为业界领先的射频方案供应商，Qrovo也提出了一系列的氮化镓产品”，黄靖补充说，

从他的介绍我们得知，Qorvo推出了基于0.25微米工艺推出了一系列会被应用到基站的的氮化镓产品。同时，Qorvo的0.15微米和90纳米工艺的更多氮化镓产品，也以适应更高频率的需求。

“同时，我们会根据不同的应用场景，根据需要把GaN，GaAs，SOI等不同材料以MCM的模式组装到一起，提供高集成，小尺寸，低成本的解决方案。这样的方案也是大规模应用的正确选择”。黄靖说。

      本文来自Qorvo公众号