在硅片的制造过程中,需要清洗抛光后的硅片,保证其表面平整度和性能,从而提高在后续工艺中的良品率;而在晶圆制造工艺中要在光刻、刻蚀、沉积等关键工序前后进行清洗,去除晶圆沾染的化学杂质,减小缺陷率;而在封装阶段,需根据封装工艺进行TSV清洗、UBM/RDL清洗等。
上述清洗工序的技术要求是影响芯片成品率、品质及可靠性最重要的因素之一。
湿法工艺工程师是湿法机台及工艺的负责人,工作压力是比较大的,需要经常加班,因为EE有时候搞不定机台,需要盯着工艺。以某大厂的湿法工艺工程师为例,刚毕业前几年的时候负责12寸28/40nm后段工艺机型LAM DVP/DV38及相关工艺维护(WET clean及backside clean) ,后面接手22/28nm HKMG湿法工艺,工作内容如下:
1、负责12寸28nm HKMG工艺平台技术转移及mini line建立,完成特殊工艺产线装机扩产任务。优化28nm HKMG平台多晶硅刻蚀及接触孔刻蚀后湿法工艺,改善良率缺陷问题。
2. 负责12寸22nm HKMG工艺平台技术转移及工艺维护。完成接触孔刻蚀后湿法工艺优化,改善良率缺陷问题。
3. 作为22/28nm平台湿法工艺项目负责人,完成日常SPC维护,及时发现并解决产线inline缺陷问题。
此外,还需要负责12寸28/40nm湿法工艺多元化机台开发及量产验证。完成盛美等国产设备机台,TEL cellesta晶边刻蚀,磷酸刻蚀等工艺从0到1的工艺开发验证。
如果湿法PE是新工厂产线湿法工艺的负责人,一般是负责非标线多元化机台的全线替代验证,负责新建产线机台装机及验证,负责技术平台转移,负责组内新入职员工工艺与值班技能培训。
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