TPT1028Q采用优化的电路设计,拥有极低的电磁发射(EME)和高电磁抗扰性(EMI)。同时产品还具备从-45V至+45V的过压保护、过温关断、欠压、短路到地保护等多重保护特性,增强设备和网络稳定性。TPT1028Q的IEC ESD静电保护等级达到±15kV,可有效提升系统和网络的可靠性与鲁棒性。TPT1028Q可提供SOP-8、ESOP-8和DFN3X3-8L封装,并已顺利通过AEC-Q100认证,满足车规级芯片工作条件要求。
然而,此方案的设计复杂度较高,需要单独设计LDO电路,增加了设计工作量。同时,两个独立组件占用了更多的PCB空间,不利于空间受限的应用,且成本较集成方案略有上升。
方案实现了高度集成化,减少外部器件数量,简化设计过程,PCB占地空间更小,有利于小型化布局。同时,整体方案成本较低,适合大规模、低成本的应用。
但因方案内置的LDO输出电流限制在125mA,需要考虑环境温度并降额,无法满足高电流需求。
TPP36307Q能提供最大3A电流,可同时为CAN收发器、LIN收发器和多个芯片供电。相较于LDO,TPP36307Q典型轻载效率在85%以上,低IQ(6μA),减少功耗,总体发热量低。
然而,此方案成本较高,需要额外的DC/DC转换器和Buck电感电容,增加了整体方案成本。同时,PCB面积较大,需要更多元件和布局空间。此外,尽管TPP36307Q具有出色的EMC展频技术,但相较于LDO,其EMC表现相对较差,需要额外的滤波和屏蔽设计。
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