三星宣布开发出下一代内存

三星电子宣布开发出将NAND闪存与Compute Express Link（CXL）模组相结合的产品，该产品被认为是下一代内存。

三星电子内存事业部DRAM设计团队大师孙教民在5月13日举行的“AI半导体论坛早餐讲座”上表示，“下一代CXL解决方案，我们还可以考虑将高速DRAM和大容量NAND结合起来的混合结构。”他补充道：“它具有很高的发展潜力，因为它可以实现现有 DRAM 所不具备的新应用。”

CXL 是集成多种设备的下一代接口，包括中央处理器 (CPU)、图形处理单元 (GPU) 和存储。如果说以前连接CPU和内存半导体的道路只有2到3条通道的话，那么CXL就好比是将通道数大幅增加到8条甚至更多的技术。因其具有能够扩大容量、提高数据处理效率的优点而受到关注。

目前商业化的CXL 1.1和2.0版本基于内存模组（CMM）-D，并配备了提供CXL功能的DRAM。 Master Son提到的混合结构是CMM-Hybrid（H），是将NAND与DRAM结合在一起的新概念。在基于 DRAM 的模块中添加 NAND 的优势似乎在于它可以增加存储容量。

三星电子利用可编程门阵列（FPGA）制作了CMM-H结构的原型。三星正在推进研发，目标是在 2027 年实现商业化。Son Master 表示：“专注于容量的 CXL 是一种新兴的解决方案”，并补充道，“我们正在实验室中对各种形式的内存进行研发。”

接下来，Son Master 提到，针对堆叠多个 DRAM 以提高数据处理速度的高带宽内存 (HBM)，“定制 HBM” 的供应正在全面展开，从第六代 HBM“HBM4”开始，代工工艺被应用于基础芯片（最底层的半导体），从而实现“定制化”。

他说道，“由于HBM基础芯片采用逻辑半导体工艺制造，我们创造了一个可以根据不同客户需求进行生产的环境，这是一个巨大的变化，因为它为内存部门为客户生产定制内存开辟了可能性”。