三星电子

• 存储大厂1500亿项目加速推进，开始采购设备

  三星电子正加速扩大其平泽半导体工厂的产能，特别是重启平泽5号线（P5）并订购关键基础设施设备，以应对人工智能普及带来的存储半导体需求增长。P5预计总投资达30万亿韩元，目标在2028年投产，而P4工厂扩建也将加速推进，以支持10nm第六代（1c）DRAM生产。三星电子的快速行动反映了其对市场需求的积极响应。

  芯片说 IC TIME

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  2025/12/31

  存储市场
• 抢跑台积电！三星首发 2nm 制程芯片，AI 性能暴涨 113%

  三星发布全新Exynos 2600，采用自家2nm GAA制程，全性能核心设计，性能提升显著；GPU和NPU性能大幅增强，但仍面临散热和功耗挑战。外挂基带是为了应对2nm制程的良率问题，但牺牲了集成度。Exynos 2600有望助力三星重回高端市场，但实际表现还需等待Galaxy S26系列发布后评估。

  雷科技

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  2025/12/24

  2nm工艺 GaA

  
• 2nm 芯片，终于来了！

  三星推出全球首款2nm手机芯片Exynos 2600，大幅提升性能并优化能耗，带来更稳定、高效的用户体验。

  芯火相承

  332

  2025/12/22

  手机芯片 2nm芯片

  
• Moore Threads Graphics Card Teardown

  Recently, the listing of Moore Threads has truly been spectacular, creating wealth for a large number of people. Regardless of how the capital market plays out, a company's ultimate competitiveness st

  曹顺程

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  2025/12/18

  AI 拆解

  
• 为提升获利，DRAM三巨头“分道扬镳”

  三星电子计划减产HBM3E以扩大通用DRAM供给，SK海力士侧重扩大数据中心DRAM产能，美光则退出Crucial消费类存储业务，转投数据中心/企业级需求。

  芯智讯

  872

  2025/12/09

  dram HBM3E

  
• 三星通用内存扩产，砍HBM3E产能

  三星电子正考虑大幅削减其10纳米制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能。鉴于公司明年将“利润最大化”作为全公司目标，三星计划将生产重心转向通用DRAM，因为通用DRAM的利润率高于HBM3E。虽然1a DRAM已经过重新设计，但三星认为其利用率仍然较低，因此决定减产。

  芯片说 IC TIME

  575

  2025/12/03

  HBM3E

  
• 半导体迎新一轮扩产潮？晶圆代工、封装、光刻胶风云涌动

  AI人工智能对芯片性能与产量需求呈指数级增长，半导体产业正经历着前所未有的激烈竞争与变革。近期，行业内扩产动作频发，三星德州泰勒市工厂在多方助力下加速兴建，与特斯拉达成重要芯片订单合作；德州仪器马来西亚马六甲新封装测试厂投入使用，强化全球供应链布局；日本芯片材料厂商也纷纷加大投资，新建光刻胶工厂或扩产，一场半导体产业的“扩产大战”已然打响。

  全球半导体观察

  521

  2025/11/11

  半导体

  
• 《元器件动态周报》——存储需求激增、交期延长与价格普涨的三重考验

  核心观点 AI推理驱动全球存储市场出现结构性缺货，技术迭代与需求升级正推动产业进入长期成长周期。 原厂产能向高利润产品倾斜，HBM4等先进技术加速布局，供应链整体维持紧平衡状态。 服务器需求爆发引发全产业链涨价潮，原厂强势定价与渠道供应紧张推动价格持续上行。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 今年全球存储市场出现30年来首见的结构性缺货，涵盖NAND、HDD、DRAM及HBM等多类产

  曹顺程

  7564

  2025/11/11

  AI dram

  
• 《元器件动态周报》——存储新周期引爆，供需逆转推动价格全面上涨

  核心观点 需求端：​​ AI驱动的高性能存储需求爆发，市场前景广阔，引发巨额产业链投资。 供应与交期：​​ 存储市场整体供应趋紧，HBM格局生变，厂商库存改善凸显供需关系转向紧张。 价格动态：​​ 由上游原厂推动的全面涨价趋势已经确立，并将在强劲需求预期下持续。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 9月，四方维商品动态商情存储需求指数环比上升1.68%，同比下降-14.6%。 华为正式

  曹顺程

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  2025/10/13

  AI dram

  
• 三星2nm芯片向高通送样

  三星电子已向高通公司提供基于其2纳米制程的下一代应用处理器（AP）样品，这标志着两家公司恢复合作的前景一片光明。业内分析师预测，三星的晶圆代工（半导体代工）技术在性能和良率方面正在趋于稳定，这将增加高通追加订单的可能性。

  芯片说 IC TIME

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  2025/10/11

  2nm芯片

  
• 世界芯片产业地图——西安

  西安半导体产业已稳居全国第一梯队，综合实力位列全国第四。2025 年产业规模预计突破 3000 亿元，较2021年的1513.5亿元实现近翻倍增长，年均增速超 25%。这一规模仅次于上海、深圳、无锡，在全国 30 余个重点半导体城市中占据关键席位。 截至2024年，全市拥有半导体及集成电路相关企业200余家，其中设计企业超百家，晶圆制造企业8家，封装测试企业13家，支撑企业70余家，科研机构20余

  王兵

  1.2万

  2025/09/26

  存储 NAND

  
• IBS CEO 重磅解读：为什么 FD-SOI 是边缘 AI 与中国半导体发展的 “战略纽带”？

  第十届上海 FD-SOI 论坛上，IBS CEO Handel Jones强调了FD-SOI技术在边缘AI时代的战略价值，尤其是在低功耗和无线连接效能方面的优势。随着AI市场持续增长，FD-SOI技术预计将显著扩大市场份额，特别是在智能穿戴设备、图像处理器等领域。中国半导体产业虽有快速崛起之势，但仍面临先进晶圆制造和技术生态建设的挑战。FD-SOI技术为中国在边缘AI时代提供了重要的技术支持和发展机遇。

  夏珍

  2364

  2025/09/25

  与非观察 边缘AI

  
• 戴伟民：年复合增长率34.5%！FD-SOI赛道炙手可热，芯原领跑IP生态

  2025年9月15日，第十届上海FD-SOI论坛召开，芯原股份创始人戴伟民介绍了FD-SOI技术的历史、特点及其在低功耗、边缘计算、物联网等领域的应用前景。FD-SOI技术自2001年起发展至今，历经多代技术迭代，目前已成为全球领先的低功耗技术之一。芯原股份在FD-SOI领域已有深厚积累，已开发多种基于该技术的IP，并在汽车电子、物联网、边缘AI等多个领域取得了显著成果。预计未来几年，FD-SOI市场规模将持续快速增长。

  夏珍

  3815

  2025/09/25

  与非观察 FD-SOI

  
• 第四届GMIF2025创新峰会演讲嘉宾阵容揭晓，产业大咖齐聚深圳！

  2025年9月24-25日，由深圳市存储器行业协会、北京大学集成电路学院主办，爱集微（上海）科技有限公司协办的“第四届GMIF2025创新峰会（Fourth Global Memory Innovation Forum）”将在深圳湾万丽酒店举办。

  与非网编辑

  785

  2025/09/11

  半导体 存储

  
• 3 万美元一片！台积电 2nm 高价炸场，AMD 抢先上车

  台积电在2nm制程研发上取得关键突破。根据最新数据显示，其2nm制程初始良率已达到64%-66%，SRAM良率更突破90%，显著领先于竞争对手三星电子的40%良率。这一技术优势为其2025年下半年试产和2026年量产奠定了坚实基础。

  夏珍

  2557

  2025/08/20

  与非观察 台积电

  
• 手机装上HBM，会怎样？

  在漫威电影宇宙中，钢铁侠的AI管家贾维斯，能理解复杂指令、实时提供各类信息、辅助战甲高效运行，为观众描绘出强大的AI应用场景。如今，随着移动HBM技术的发展，我们的手机也在迈向具备类似强大AI能力的设备。那么，从移动HBM到“贾维斯”般的智能体验，我们还有多少距离？

  半导体产业纵横

  2776

  2025/08/05

  智能手机 HBM

  
• 存储大厂押注混合键合！

  三星电子正引领高带宽存储器（HBM）技术向更高层数和更先进互连方案演进，计划逐步引入混合键合（Hybrid Bonding）技术，以克服当前制造工艺的物理极限。

  全球半导体观察

  1079

  2025/07/24

  HBM 混合键合

  
• 《元器件动态周报》——DDR4价格失控加速DDR5市场渗透

  核心观点 DDR4价格失控与供应缺口推动DDR5/LPDDR5X渗透率跃升，AI终端升级持续拉动高性能存储需求。 封装资源短缺+产能转向高端产品，低容量芯片（LPDDR4X、小容量NAND）紧缺或持续至2026年。 DDR4泡沫将破，LPDDR4X因刚性需求维持涨势，三季度原厂全面提价策略明确。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 7月，四方维商品动态商情存储需求指数环比下降11.68

  曹顺程

  2661

  2025/07/14

  DDR5 DDR4

  
• 10年了！三星旗舰自研手机芯片回归中国，加入高通联发科小米3nm芯大战

  又一款3nm自研手机芯片来了！落地折叠屏机皇。

  智东西

  550

  2025/07/11

  高通 三星
• 三星正推进泰勒厂2nm量产

  三星电子正推进其位于德克萨斯州泰勒工厂的2纳米（nm）半导体量产计划，最早将于2026年投入量产，比其竞争对手台积电（TSMC）的2028年量产计划提前两年。

  芯片说 IC TIME

  690

  2025/06/25

  三星电子

  

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