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    • 一、公司介绍
    • 二、财务分析
    • 三、总结
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晶圆代工企业案例分析——芯联集成

原创
06/04 10:01 来源:与非研究院
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晶圆代工领域,有一家与晶合集成类似,成立不久但发展迅速的厂商,仅用7年时间,公司成了为国内规模最大、技术最先进的MEMS晶圆代工厂,位列全球MEMS 晶圆代工厂第五名。其核心技术和产品布局聚焦功率半导体、模拟 IC 与 MCU传感器AI 领域,形成了覆盖设计、制造、封装的全链条能力,它就是——芯联集成。

根据 Chip Insights 发布的《2024 年全球专属晶圆代工排行榜》,公司已迈入晶圆代工“第一梯队”,跻身2024年全球专属晶圆代工榜单前十,中国大陆第四。在模组封装方面,根据盖世汽车研究院发布的 2024 年功率器件(驱动)供应商装机量数据,公司在国内新能源乘用车终端销量排行榜位列第三。

一、公司介绍

1.1、发展历程

芯联集成电路制造股份有限公司成立于2018年3月, 注册资本70.537亿元人民币,总部位于浙江绍兴。芯联集成主要从事 MEMS、IGBTMOSFET、模拟IC、MCU 的研发、生产、销售,为汽车、新能源、工控、家电等领域提供一站式芯片系统代工方案。

公司在成立之初便决定进军车载功率器件,通过与海外头部客户的合作,公司建立了严格的车载芯片生产制造产线和工艺标准,之后公司 IGBT 芯片进入量产,彼时恰逢国内新能源产业快速发展,公司功率器件收入快速提升。目前公司是中国 IGBT 芯片规模最大的制造基地之一,IGBT、MOS、MEMS 为主的 8 英寸硅基芯片和模组也构成了公司发展的基本盘。2024年,公司商业模式实现了从晶圆代工到系统代工的创新转变,模组封装收入已实现 6.02 亿元,同比增长54.54%,25Q1这一成长趋势仍在延续。

SiC业务方面,公司出货量稳居亚洲市场前列,全面布局 650V 到 2000V SiC 工艺平台,2024年,公司实现碳化硅收入超 10 亿元,同比增长超 100%,实现中国首条、全球第二条 8英寸SiC工程批通线,并预计2025年下半年量产。

模拟IC业务方面,公司拥有多个G0等级的车规级工艺平台,是国内在该领域布局最完整的企业之一。2024 年,公司模拟IC业务收入同比增长超8倍,公司还推出了 55nm MCU 平台,并在40nm MCU平台研发验证中取得积极进展。车规级高压模拟 IC 国产化率非常低,国产替代空间十分广阔。

1.2、股东背景

公司由绍兴市越城区集成电路产业基金(越城基金)及中芯控股于2018年合资设立,目前越城基金、中芯控股分别拥有公司16.30%、14.06%股份,为公司第一、二大股东。公司在技术、人员两大方面得到中芯国际较好支持,MEMS、功率器件相关的573项专利及31项非专利技术均来自于中芯国际授权,公司董事赵奇、刘煊杰、资深副总经理肖方、副总经理张霞、严飞等管理层均来自中芯国际。

1.2、工艺平台

公司产品主要包括 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 为主的功率芯片、BCD 工艺为主的模拟 IC 芯片、MEMS 为主的传感信号链,以及相应的模组封装等。

图|公司产品演进

来源:公司官网

1.2.1、MEMS

芯联集成团队已经在MEMS领域耕耘了已有十多年,拥有丰富的研发和大规模量产经验。 技术路线主要分为两类:第一种为器件直接接触外部环境的开放式结构,例如MEMS麦克风压力传感器超声波传感器等; 第二种为器件密闭在封盖中的封闭式结构,例如振荡器加速度计陀螺仪等。

芯联集成MEMS工艺平台布局完整,技术先进,具备CMOS-MEMS单芯片集成和晶圆级封装能力,可以为客户提供定制化工艺研发和大规模量产解决方案。

图|公司MEMS工业技术及特点

来源:与非研究院整理

1.2.2、MOSFET和IGBT

芯联集成提供完整的MOSFET工艺平台,包括沟槽式MOSFET、分栅式MOSFET以及超结MOSFET,包括先进的背面工艺以及特殊金属沉积工艺等。

公司立足于场截止型(Field Stop)IGBT结构,采用业界先进的背面加工工艺,包括背面减薄工艺、离子注入、激光退火及特殊金属沉积工艺等。600V~1200V等器件工艺均已实现大规模量产,技术参数可达到业界领先水平,同时提供快恢复二极管的代工服务。

场截止型(Field Stop)IGBT结构,先进的背面加工工艺,和灵活的金属层次选择,可以为客户提供定制化工艺研发和大规模量产解决方案。

图|公司功率工业技术及特点

来源:与非研究院整理

1.2.3、BCD

芯联集成车规级BCD技术工艺平台,为汽车、新能源、高端工控、物联网等应用,提供完整高压、大电流与高密度技术的模拟和电源方案。电压范围为5V-150V,和250V-650V,工艺节点为0.35μm和0.18μm。

图|公司BCD工业技术及特点

来源:与非研究院整理

1.3、产能情况

图|公司产线

来源:公司公告

产能占比

截止2024年底,公司硅基产能(8英寸+12 英寸)占比 91.4%,其中2023年已完成2条8英寸,产能17万片/月,其中IGBT 产品月产8万片、MOSFET产品月产7万片、MEMS产品月产1.5万片、HVIC(8英寸)产品月产0.5万片。

2024年完成1条12英寸产线,目前产能3万片/月。

SiC 产能占比 8.6%(8 英寸工程批阶段),预计2026年通过改造现有产线,形成1.5万片/月的8英寸SiC 产能。

图|公司产能情况

来源:公司公告

未来扩张计划

12 英寸产线:2025-2027 年逐步释放剩余 7 万片/月产能,总投资超 140 亿元,目标成为国内最大模拟芯片研发和生产基地。

SiC 战略:加速8英寸产线验证,推动车规级SiC模组与IGBT的协同生产,计划 2026 年 SiC 收入占比提升至20% 以上。

芯联集成凭借 8 英寸成熟产线的稳定输出、12 英寸新产线的快速爬坡及 SiC 技术的突破,已形成 “硅基 + 化合物半导体” 双轮驱动的产能布局。未来将以车规级芯片为核心,持续加大 AI、新能源领域的产能倾斜,目标成为全球领先的数模混合系统代工平台。

二、财务分析

2.1、营收和利润情况

图|营收及增长率变化

来源:与非研究院整理

2019-2024年,公司营收呈现爆发式增长由2.70亿元提升至65.09亿元,2025Q1为17.34亿元。2020-2025Q1增速分别为174%、173.82%、127.59%、15.59%、22.25%、17.34%。

从应用领域来看,2024年公司车载领域收入占比51.78%,同比增加9.43亿元,同比增长 40.87%;高端消费领域收入占比30.61%,同比增加7.64 亿元,同比增长66.02%。

图|扣非净利润及增长率变化

来源:与非研究院整理

2019-2023年扣非净利润持续下降,由-7.9亿元降低至-22.62亿元,2024年收窄至-14.10亿元,2025Q1为-2.30亿元。公司主要亏损原因是因为大规模的生产型投入造成的折旧摊销影响。

2023年剔除折旧及摊销费用34.51亿元后,公司全年实现EBITDA(息税折旧摊销前利润)9.25亿元,与上年同期相比增加1.16亿元,同比增长14.29%。同时,2023年度经营性净现金流为26.14亿元, 与上年同期相比增加12.80亿元,同比增长95.93%。

2024年归属于母公司所有者的净利润同比大幅减亏超50.87%,剔除年度折旧及摊销费用 40.38 亿元后,公司2024 年实现EBITDA(息税折旧摊销前利润)21.46 亿元,与上年同期相比增加12.20亿元,同比增长131.86%

2.2、产品结构

图|营收结构

来源:与非研究院整理

2019-2024年晶圆代工占比分别为89.51%、84.52%、91.20%、77.22%、83.99%、85.96%;封装测试占比逐渐提高,由3.25%提升至9.24%;其他业务2022年占比最高达14.07%,2024年降低至3.58%;研发服务由2020年11.13%降低至2024年1.21%。

2023年公司晶圆代工收入占比91.07%,同比增长25.73%;模组封装收入占比 7.93%,同比增长32.89%。

图|代工营收产品拆分

来源:与非研究院整理

2019-2022年主营产品收入为功率器件,占比分别为65.63%、53.32%、71.50%、70.16%;MEMS产品占比分别为23.88%、31.20%、19.69%、7.06%。

图|内外销结构

来源:与非研究院整理

营收结构中,2019-2024年内销占比分别为87.21%、80.66%、92.79%、77.40%、81.70%、88.33%;外销占比分别为9.66%、17.54%、6.24%、8.54%、10.53%、8.09%;其他业务占比非标为2.82%、1.80%、0.97%、14.07%、7.77%、3.58%。

2.3、毛利率和净利率

图|毛利率和净利率变化

来源:与非研究院整理

2019-2024年毛利率和净利率从深度亏损逐步收窄,2024 年首次实现毛利率转正,全年公司毛利率为 1.03%。2025Q1持续扩大,毛利率为3.67%,毛利端改善显著,经营效率提升。

尽管净利率为负,但亏损幅度整体呈收窄趋势,2023 年的波动未改变长期向好方向,净利率随毛利改善逐步修复,盈利质量持续优化。

随着公司 8 英寸晶圆一期生产线关键生产设备逐步退出折旧周期,其相应的折旧摊销等固定成本将明显减少。与此同时,公司新增产线的固定资产投资及其折旧摊销费用亦呈现逐步减缓的态势,公司的整体折旧摊销负担将步入下降通道。由此,公司的毛利率和盈利能力预计将持续提升,为公司未来的财务表现和市场竞争力带来积极影响。

图|营收结构毛利率变化%

来源:与非研究院整理

2019-2022年晶圆代工业务毛利率深度亏损,由-199.47%逐年收窄至接近盈亏-0.09%,2023 年短期波动-7.60%,2024 年首次盈利0.48%,标志核心业务盈利能力修复,从亏损泥潭中突围。

2019-2021年封装测试毛利率分别为-61.59%、-77.82%、-75.54%,2022 年收窄至-10.98%,2023 年反弹至-15.93%,受行业周期影响,2024 年亏损进一步收窄至-3.16%,虽未盈利,但改善趋势明确,需持续优化业务。

其他业务2019-2021 年其他业务毛利率呈现高盈利,分别为20.90%、18.11%、20.04%,2022 年下滑至3.79%,2023 年回升至9.50%,2024 年飙升至 25.49%(创近年新高),成为重要利润支柱,多元化业务(如新兴应用、配套服务)的高附加值拓展成效显著。

2.4、研发投入情况

图|研发投入及占比%

来源:与非研究院整理

2020-2024年,公司研发投入持续增长,由2.62亿元提升至18.42亿元,2025Q1为4.58亿元,研发投入占营收比重分别为35.46%、30.69%、18.22%、28.72%、28.30%、26.30%,维持在较高水平。

图|研发人员数量及占比%

来源:与非研究院整理

2020-2024年研发人员数量由214人提升至943人,研发人员占比分别为15.92%、13.23%、11.27%、15.00%、19.00%。

公司发布了 2024 年限制性股票激励计划(草案),首次授予部分涉及 的激励对象共计 763 人,激励对象主要为公司核心技术人员、中高层管理人员、核心技术(业务)骨干。

2023年对12英寸硅基晶圆产品、SiC产品加大研发力度,公司专利获得数也较去年有了大幅增长:报告期内公司新增获得专利102项,其中发明专利35项,实用新型专利63项。公司及下属子公司共获得各类奖项15项,含国家级2项,省级5项。

2024 年公司坚持高水平技术研发投入、引进高端人才并配备国际先进资源,在晶圆制造及模组封装领域发力,成功推出大量新产品并获多个重大客户定点:汽车电子方面,电动化领域功率半导体等进入规模量产,高压BCD SOI 集成方案获车企定点,智能化领域激光雷达核心芯片等规模量产、多传感器项目进入智能汽车终端;人工智能方面,AI 服务器等应用的电源管理芯片大规模量产,机器人领域MEMS传感器及功率类芯片代工产品成功量产;工业控制方面,风光储充相关储能模块、光伏模块及大电流分立器件,智能电网领域超高压 IGBT 产品顺利量产,传统工控领域新型工业变频模块系列即将量产;消费电子方面,传感器和锂电池保护芯片占据市场和技术领先位置,低压 40V BCD 及数模混合技术平台实现规模量产并进入多个手机终端应用。

三、总结

芯联集成成立仅7年时间,凭借原中芯在 MEMS 及功率器件业务深厚技术积累,不断发力车规级IGBT芯片覆盖650V-1200V、1700VSiC MOSFET、及车规级BCD技术工艺平台,持续拓展模拟IC产品如电源管理芯片、数模混合信号芯片等领域。在产能持续扩张的同时,营收和利润实现了大幅度的提升,毛利率也出现了转正,一跃成为全球领先的集成电路晶圆代工企业,发展势头非常迅猛。

公司持续聚焦国内优势行业风光储、消费电子、汽车电子方向,加速 8 英寸 SiC MOSFET 量产,推进 55nm/40nm MCU、高压 BCD 工艺平台升级,布局AI服务器电源、机器人芯片等新兴领域,为未来持续发展奠定基石。

 

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与非网资深行业分析师,工科背景,11年行业研究经历。擅长从行业供需、量价、公司财务基本面等角度分析,洞悉电子行业未来发展方向,欢迎交流。