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JSM7385STR700V双通道高侧栅极驱动芯片

07/25 14:04
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在电力电子领域,栅极驱动芯片扮演着 “神经中枢” 的关键角色,它连接着控制电路功率器件,直接影响整个系统的性能与可靠性。杰盛微作为专注于半导体领域的佼佼者,推出的 JSM7385STR 700V 双通道高侧栅极驱动芯片,凭借卓越的性能和广泛的适用性,成为替代 FAN7385 的理想之选,为各类电力电子应用注入强劲动力。

一、概览

JSM7385S是一款高压、高速功率 MOSFETIGBT驱动芯片。JSM7385S集成了两路独立的高侧驱动电路,逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。JSM7385S其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达700V。JSM7385S采用 SOP-14封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

  • 自举工作的浮地通道
  • 最高工作电压为+700V
  • 兼容 3.3V, 5V 和 15V 输入逻辑
  • dVs/dt 耐受能力可达+50 V/ns
  • Vs 负偏压能力达-9V
  • 集成 VDD 欠压锁定电路

    --欠压锁定正向阈值 8.9V

    --欠压锁定负向阈值 8.2V

  • 芯片传输延时特性

    --开通/关断传输延时 Ton/Toff-130ns/130ns

  • 宽温度范围-40°C~125°C
  • 输出级拉电流/灌电流能力350mAV650mA

    符合 RoSH 标准

三、应用范围

四、技术参数详解:硬核实力看得见

1. 极限工作范围

超过极限最大额定值可能造成器件永久性损坏。所有电压参数的额定值是以 GND 为参考的,环境温度为 25℃。

2. 推荐工作范围:

为了正确地操作,器件应当在以下推荐条件下使用。Vs和 GND 的偏置额定值是在电源电压为 15V时进行测量的,无特殊说明的情况下,所有电压参数的额定值是以 GND为参考的,环境温度为 25℃。

五、引脚功能描述

六、功能框图

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