年收入0.12亿，该GaN企业被合并

8月13日，日本三垦电气株式会社发布公告称，他们决定与其旗下全资子公司Powdec株式会社合并。此次合并为吸收合并，三垦电气将为存续公司，Powdec将解散，预计2025年10月1日为生效日。

针对本次合并，三垦电气表示未来功率半导体市场规模将持续扩大，尤其是GaN功率器件市场预计将快速增长，针对2024年中期经营计划中的新技术领域，他们提出了专注于化合物器件的开发方针，并积极为面向未来的增长进行投资。通过此次合并，三垦电气旨在进一步提升高性能GaN功率器件技术水平，一方面将氮化镓功率器件整合到其高压功率模块和器件中，另一方面开发专为GaN器件设计的优化驱动器IC，并将这些驱动器集成到同一封装中，以扩大其在氮化镓功率器件市场的竞争优势。公告进一步透露，在本财年（截至今年3月）中，三垦电气营业收入约为1216亿日元（约合人民币60亿），归母净利润约为509亿日元（约合人民币25亿）；Powdec营业收入为2.36亿日元（约合人民币0.12亿），净亏损0.97亿日元（约合人民币0.05亿）。据“行家说三代半”此前报道，今年3月三垦电气宣布收购Powdec，后者成立于2001年，在GaN器件和衬底开发方面拥有悠久的历史。据Power electronicsnews披露，Powdec专注于GaN晶体生长，以及AlGaN/GaN GaN-HEMT衬底等产品，他们采用独特的MOCVD系统，能够生长2英寸至6英寸的晶体。该公司还参与了GaN功率器件的开发，包括功率晶体管（PSJ-FET）和二极管（PSJ-SBD）、垂直GaN晶体管等。

值得注意的是，Powdec推出了一种名为极化超结 (PSJ) 的新型场效应晶体管 (FET) 结构。该设计利用二维电子气和二维空穴气来增强电流流动，实现了超过10 kV的高击穿电压，并具有比传统场效应晶体管 (FET) 更优异的高频性能。此外，由于该器件构建在蓝宝石衬底上，因此可以使用现有的 LED 生产线进行生产。

此外，据《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》披露，自2023年至2025年第一季度，全球10家GaN企业相继被收购，涉及企业包括GaN Systems、Transphorm、Odyssey、Tagore Tech、Powdec和NexGen等。

与此同时，英飞凌、瑞萨等大企业的加码也凸显了GaN市场前景更为明朗，大企业的介入也将加速GaN在各个高端领域的技术渗透。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。