芯耀
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为什么要走向 3D/2.5D?为了满足“更薄、更轻、更高性能、更低功耗”的便携式电子需求，业界从单纯缩晶体管，转向在先进封装层面做文章。这条路一方面提升系统带宽与能效，另一方面也是对摩尔定律的补充和延续。时间线与代表性产品？
2013年：Apple A7开启PoP封装的量产时代
2013年9月发布的 iPhone 5S 内部，首次搭载了采用 PoP（Package on Package） 配置的 Apple A7 处理器，这标志着3D IC封装正式进入量产阶段。
在该封装结构中，Apple A7 使用的是倒装芯片（Flip Chip）封装形式，而其上方则堆叠了一颗 Elpida的 LPDDR3内存封装，采用的是线焊技术（Wire Bond）。
通过上下封装堆叠的方式，有效缩短了内存与处理器之间的连接路径，在保证高性能的同时，实现了更小的封装尺寸，适用于对体积敏感的移动设备。
2014年：SK 海力士推出 HBM，3D堆叠内存走向成熟
2014年初，SK 海力士发布了其高带宽内存（HBM）产品。该产品采用了通过 硅通孔和 微凸点互连的方式，将多达8颗DRAM裸片垂直堆叠在一起。
通过这种3D垂直堆叠结构，HBM显著提高了内存带宽，降低了功耗，同时缩小了封装体积，为高性能计算、图形处理和AI应用提供了全新选择。
2015年：AMD Radeon™ Fury，GPU首次集成HBM
2015年7月，AMD发布了 Radeon™ Fury 显卡，这是第一款将HBM通过TSV和微凸点与GPU整合在一起的图形处理器。其结构基于2.5D封装，将一颗大型GPU裸片与四颗HBM堆栈通过微凸点和TSV集成在同一个TSV载板上。
这种并排式结构大大缩短了GPU与内存之间的通信路径，实现了超高带宽、低延迟和节能特性，成为2.5D封装的重要落地成果。
2016年：Xperi DBI 混合键合实现量产，应用于索尼IMX260
Xperi 推出的DBI（Direct Bond Interconnect）混合键合技术，也在2016年实现实际应用。该技术将介电层之间进行直接低温贴合，并在其中嵌入金属互连，实现超细间距的3D互连。
索尼在其用于 Galaxy S7 Edge 的背照式图像传感器（IMX260）中，率先采用了这项技术，通过垂直堆叠图像感应与读出电路，使传感器具备更高分辨率与更快响应速度。
2016年：台积电 CoWoS 实现大规模生产
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate） 是台积电的另一项先进封装技术，在2016年也实现了量产。该方案可将多个先进芯片集成于同一块硅中介层上，再与封装基板整合。
CoWoS 结构支持更大的封装尺寸、更高的互连密度，是适用于高性能计算（HPC）、AI训练平台、图形处理器等高带宽需求场景的关键技术。
2018年：英特尔推出EMIB，实现局部高密度互连
自2018年起，英特尔开始在其 Kaby Lake-G 和 Stratix 10 系列产品中部署 EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge） 技术。与传统的整块硅中介层不同，EMIB通过在有机基板内嵌入小型硅桥片，并使用局部高密度微凸点将多个芯片连接起来，如FPGA、收发器、HBM或GPU等。
这种结构更灵活，避免了大尺寸硅中介层带来的高成本和良率挑战，是对2.5D封装的一种优化。
2018年：三星的 I‑Cube
2019年：Foveros发布，实现“主动互连板”堆叠
2019年，英特尔推出了名为 Foveros 的3D堆叠封装技术，首个商用产品为 Lakefield。
Foveros 的最大特点是将 IO、CPU Core、LLC 或内存（DRAM）制成多个独立裸片，并通过垂直堆叠连接在一起。
