三星HBM4E下个月送样，SK海力士与台积电合作应对

三星电子和SK海力士在高带宽内存（HBM）市场的技术竞争正转向第七代产品HBM4E。HBM是人工智能（AI）半导体行业的核心组件。

三星电子计划下月向主要客户交付第七代HBM4E样品，以开始全面性能验证。与此同时，SK海力士正通过与代工厂的合作，继续为下一代产品做准备。

据业内人士4月20日透露，三星电子计划于今年5月完成第七代HBM4E首批样品的生产，并向英伟达等主要客户交付验证样品。

继业界首款量产型第六代HBM4内存芯片出货后，三星电子的战略是力争在下一代产品中也领先于竞争对手，从而巩固其市场领导地位。三星电子于去年3月在例行股东大会上于展厅展示了HBM4E芯片的实物，此次交付的样品将进入“资格测试”阶段，以验证其在实际客户加速器环境中的性能。

三星的HBM4E采用10nm级第六代（1c）DRAM和4nm代工工艺。

值得注意的是，它将堆叠层数从现有的12层增加到16层，从而最大限度地提高了数据处理能力，并应用了“Eco”技术来优化能效。

据报道，SK海力士正与台积电合作，致力于为下一代HBM的核心芯片——基片——引入3nm逻辑工艺。

SK海力士正着力提升其HBM4的供应完整性，并表示将于2027年开始全面量产HBM4E，该产品将结合10nm级1c DRAM和台积电的工艺。

两家公司之间的竞争预计将围绕英伟达将于今年下半年发布的Rubin Ultra及其后续型号展开。Rubin Ultra是Rubin的性能增强版。Rubin搭载的是第六代HBM4，而三星电子此次提交样品的第七代HBM4E则被认为是下一代加速器的核心内存，性能已提升至全新高度。

关键在于，三星电子能否凭借在HBM3上的出色表现，将优势延续到第七代HBM技术，还是SK海力士会选择与台积电合作，另辟蹊径。

一位半导体行业专家表示：“下一代HBM技术的成功，将取决于存储器性能、16层堆叠的良率以及与代工厂的合作。”

韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日，由韩国山东商会更名，成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。

总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。

在重点发展领域方面，总会积极布局高科技产业板块，涵盖生物医药、人工智能（AI）、半导体与存储等前沿领域。围绕三星电子与SK海力士等全球领先企业的产业资源，推动内存、芯片及相关技术的合作与流通，并协同中国区域内的授权代理公司与供应链体系，促进中韩半导体产业的高效对接与合规发展。

同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。

芯片说——知识星球欢迎您