SK海力士1800亿存储项目开工！

SK海力士位于印第安纳州的首座半导体工厂已破土动工。这是该公司在美国的首座半导体工厂。两年前，该公司宣布了其2024年的投资计划，此次破土动工预计将推动全球人工智能（AI）半导体的供应。

据业内人士4月21日透露，SK海力士于4月17日向印第安纳州当地政府宣布，已开始打桩作业。打桩是基础施工流程，需要在结构框架施工前将桩打入地下；鉴于该公司表示该工程将持续数月，预计主体结构将于今年下半年建成。

SK海力士此前宣布，将于2024年在美国印第安纳州投资约38.7亿美元（1792亿元），在占地138英亩（约56万平方米）的土地上建设一个用于人工智能存储器的先进封装生产基地。计划于2028年下半年全面投产，量产将主要集中于人工智能内存产品，例如下一代高带宽内存（HBM）。根据路线图，第七代和第八代高带宽内存（HBM4E和HBM5）极有可能成为旗舰产品。

SK海力士的战略是通过构建一个从“利川-清州-龙仁”（利川、清州、龙仁）三角轴线延伸至美国印第安纳州的人工智能内存生态系统，来应对不断增长的内存需求。位于印第安纳州的工厂毗邻普渡大学——该大学在美国率先开设了半导体学位课程——也为与全球客户、当地研究机构和合作伙伴开展合作提供了有利条件。

在2024年的投资协议签署仪式上，SK海力士总裁郭鲁正表示：“我很高兴能在美国建设半导体行业首个面向人工智能的先进封装生产基地。”他补充道：“通过这项投资，我们将提供定制化的存储产品，以满足客户日益复杂的需求和期望。”

鉴于HBM的特性（涉及DRAM层的垂直堆叠），封装技术正逐渐成为决定HBM良率和性能的核心技术。SK海力士副总裁兼封装开发负责人李康旭强调：“封装能力决定着企业的生存，也是决定企业价值的关键因素。”

正是在此背景下，除了印第安纳州之外，该公司还在忠清北道清州市投资19万亿韩元建设一座先进封装工厂（P&T7）。这座先进封装厂旨在满足日益增长的HBM需求，预计将于2027年底竣工。SK海力士也在加速扩大其DRAM产能。该公司位于清州M15X工厂的第二间洁净室已于3月投入运营，比原计划提前了两个月。M15X工厂生产的DRAM主要用于HBM的生产。

近日，该公司宣布计划投资约12万亿韩元，从荷兰ASML公司采购约20台EUV光刻机，用于目前正在向1c DRAM工艺过渡的生产线，包括清州M15X工厂和韩联半导体集群一期工程。

在去年3月举行的NVIDIA GTC大会上，SK海力士董事长崔泰元在接受记者采访时表示：“有人认为内存供应短缺的情况可能会持续到2030年。”他指出：“由于资源短缺，包括晶圆、电力、建筑能力和水等在内的诸多因素，供应扩张受到限制。”这意味着尽管产能扩张，存储器供应仍然不足。在存储器供应商主导的市场中，SK海力士有望在今年第一季度创下新纪录，仅一个季度就超越去年第四季度的历史最高季度业绩。

根据证券分析师的普遍预期，SK海力士第一季度营收预计为50.1046万亿韩元，营业利润预计为34.8753万亿韩元，分别较去年同期增长184.05%和368.7%。

另有消息称，SK海力士第一季度营业利润可能超过40万亿韩元。如果这一预测成真，意味着该公司仅用三个月就实现了去年同期营业利润的约85%。

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总会旨在推动中韩两国在经济、科技与产业领域的深度合作与交流，致力于打造高层次、多维度的国际合作平台，促进资源整合与产业协同发展。

在重点发展领域方面，总会积极布局高科技产业板块，涵盖生物医药、人工智能（AI）、半导体与存储等前沿领域。围绕三星电子与SK海力士等全球领先企业的产业资源，推动内存、芯片及相关技术的合作与流通，并协同中国区域内的授权代理公司与供应链体系，促进中韩半导体产业的高效对接与合规发展。

同时，总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源，为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持，持续提升中韩经贸合作的深度与广度。

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