芯耀
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近日，“行家说三代半”发现，又有两家氮化镓企业在推进融资进程：
纳微半导体：计划融资7.12亿，加速转向高功率市场；
Vertical Semiconductor：获得7832万融资，加速垂直氮化镓技术的研发量产。
纳微半导体：计划募集1亿美元
11月7日，纳微半导体在官网宣布，他们已就购买和出售合计1481.4813万股A类普通股签订最终证券购买协议，每股购买价格为6.75美元。本次私募发行预计将于2025年11月10日前后完成，扣除应付的承销商佣金及发行费用后，私募发行预计将带来约1亿美元（约合人民币7.12亿）总募集资金。
纳微半导体计划将本次发行净收益用于营运资金及其他一般公司用途。纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示，此次融资将助力纳微半导体转型，加速进军高功率市场。他们将为纳微半导体2.0的转型注入动力，并将精力集中在高功率市场：人工智能数据中心、高性能计算、能源和电网基础设施以及工业电气化等。
据“行家说三代半”此前报道，纳微半导体第三季度总收入为1010万美元（约合人民币7192.21万），GAAP营业亏损为1940万美元（约合人民币1.38亿）。在该季度，纳微半导体提出了“纳微2.0”战略，重点转向高功率市场，聚焦GaN与高压SiC技术。
值得关注的是，纳微半导体已累计出货超过3亿颗GaN器件，他们计划在2027年完成高压GaN的部署。与此同时，纳微半导体将加速扩展中压GaN器件、高压GaN器件和电源芯片、高压SiC模块系列产品。
Vertical Semiconductor ：获得1100万美元融资
近日，从麻省理工学院 (MIT) 分拆出来的半导体公司Vertical Semiconductor在官网宣布获得1100万美元（约合人民币7832万）种子轮融资，由Playground Global、信越化学等共同投资，融资资金将用于加速垂直氮化镓 (GaN) 晶体管的研发。
Vertical Semiconductor源自麻省理工学院的Palacios研究小组，该小组是一个专注于开发氮化镓晶体管的研究实验室，旨在将其作为硅基芯片的替代方案。该公司表示，他们研发的垂直氮化镓技术能将能量转换更贴近芯片，可有效减少功率损耗和发热量，能将数据中心的效率提高30%，同时将功耗降低一半。
据了解，垂直氮化镓技术可以在芯片上集成更多晶体管，并支持更高的电压，这种设计使得电流能够流经更多的晶体管，从而提升其性能。与横向设计相比，垂直结构还能够实现更好的散热，并能利用“雪崩自保护机制”，更有效地应对浪涌电压，从而确保在电压尖峰期间继续工作。
目前，Vertical Semiconductor已在8英寸晶圆上采用标准硅CMOS半导体制造工艺验证了该技术，实现了与现有工艺技术的无缝集成，并使其能够应用于100伏至1.2千伏的器件的实际生产。
Vertical还表示，他们的垂直氮化镓晶体管的原型产品已在研发中，此次融资所得资金将帮助其在年底前开始向早期客户提供封装器件的样品。如果一切顺利，该公司将在2026年底前推出完整的集成解决方案。
