研洁等离子清洗设备提升半导体封装键合强度

摘要

引线框架表面有机污染导致键合虚焊。研洁真空等离子清洗设备温和去除污染并活化表面，键合强度与封装良率同步提升。

行业痛点

引线框架在冲压、储运中附着冲压油与氧化膜，高温键合时易形成虚焊、脱焊，影响器件可靠性。溶剂擦拭均匀性差，且需干燥周转。

技术方案

研洁真空等离子清洗设备采用氩氧混合等离子体，在低压环境中均匀轰击框架表面，有机污染被分解为挥发性小分子，同时引入极性基团，显著提升表面活性。

处理工艺

处理时间、功率与气体比例可按框架尺寸与污染程度设定；真空环境确保等离子体覆盖均匀；处理温度低，避免铜合金氧化变色。

应用效果

键合拉力测试明显提升；封装后高温存储试验无脱焊；溶剂清洗工序取消，车间气味与废液大幅减少；设备可与封装线自动对接。

总结提升

研洁等离子方案为半导体封装提供高洁净、高可靠的键合前处理，助力客户提升器件长期可靠性并降低环保压力。