三星SK海力士闪存利润率将达79%，超越HBM

由于人工智能（AI）推动的内存需求激增，三星电子和SK海力士的NAND闪存营业利润率预计今年将飙升至70%左右。虽然高带宽内存（HBM）此前一直是性能增长的主要驱动力，但分析师预测，我们现在正进入一场“全面的内存牛市”，通用DRAM和NAND闪存的需求都将大幅增长。

据业内人士3月2日透露，全球投资银行麦格理近期预测，SK海力士今年的NAND闪存营业利润率（OPM）将达到79%。考虑到去年NAND闪存的营业利润率约为12%，这意味着仅一年时间，其盈利能力就增长了六倍多。

三星电子的NAND闪存营业利润率此前一直接近现金成本，直到2023年才有所改善，预计今年也将达到75.9%。

“现金成本水平”指的是仅能勉强覆盖最低制造现金成本（不包括折旧和摊销）的阶段，从而有效摆脱低利润率的困境。继HBM之后，NAND闪存正成为存储器制造商的战略产品，这得益于人工智能从以学习为中心转向以推理为中心的方法。

虽然HBM通过超高速计算在学习中发挥了关键作用，但对于全球推理用户而言，存储和检索大量数据的需求至关重要。

事实上，每个NVIDIA Rubin GPU都包含一个16TB的eSSD。以一个装有72个GPU的服务器机架为例，这意味着每个机架的存储容量为1152TB，这必然导致对NAND闪存的需求增加。制造商并没有扩建洁净室来扩大产能，而是专注于工艺升级，包括高通转换，这导致产能与需求之间存在显著差距。 SK海力士正积极扩大其新型321层（321L）QLC NAND产品的市场份额。该产品于去年下半年开始量产，预计到今年年底将占其NAND总出货量（按产能计算）的一半。

不仅NAND，DRAM也持续快速增长。据估计，仅今年第一季度，SK海力士的DRAM合约价格就环比上涨了约100%。该公司预计DRAM年度平均售价（ASP）增长率高达160%。据此，麦格理预测SK海力士今年的营业利润将达到272.269万亿韩元，同比增长476.8%。

与SK海力士类似，三星电子也有望在其存储器业务的推动下实现显著的盈利增长。麦格理表示：“三星电子的净利润将在2025年至2028年间增长十倍。”

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