华润微 CRJD1KN95G2E 950V6A750mΩ SJMOS 双测试 TO-252 佰祥电子

华润微代理商 - 华润微授权佰祥电子为中国区华润微代理商，佰祥电子本期为大家带来华润微专为高压大功率开关场景匠心打造的 SJMOS N-MOSFET——CRJD1KN95G2E，以 950V 超高耐压、750mΩ 低导通电阻、6A 额定电流、TO-252 紧凑型封装等核心优势，破解高压光伏 / 逆变、照明驱动、电源供电等场景中器件导通效率低、开关损耗高、高压耐受能力弱、小型化适配性不足的行业痛点。

一、原生适配：专为高压大功率开关场景匠心定制

CRJD1KN95G2E 并非普通 N-MOSFET 器件的简单设计，而是立足高压大功率开关全场景使用需求的定制化 CRM (CQ) Super_Junction 超结工艺研发，完美适配各类 LED/LCD 照明驱动、太阳能微型逆变系统、充电器、工业级高压电源供应器等设备，在低导通损耗、高开关效率、高压耐受可靠性、小型化封装适配之间实现最优平衡，一站式提供 950V 额定耐压、750mΩ 低导通电阻、6A 持续电流、超结核心工艺、集成 ESD 保护、100% DVDS 及雪崩测试的完整高压功率开关一体化解决方案。

二、七大核心亮点，重新定义高压大功率开关场景 N-MOSFET 应用标杆

超结工艺加持，750mΩ 低导阻提效率

采用华润微自主研发的CRM (CQ) Super_Junction 超结工艺，突破传统平面 MOSFET 的硅材料物理极限，通过纵向电荷补偿机制大幅降低漂移层电阻，原生实现 750mΩ 典型导通电阻（Tj=25℃，VGS=10V），150℃高温下最大仅 1800mΩ；拥有优异的 Ron*A 性能与极低的 FOM 品质因数，实现导通损耗与开关损耗的最优平衡，大幅提升高压场景下的电源转换效率；超结工艺优化器件沟道结构，电荷存储效应低，器件一致性优异，批量生产电气参数波动小，保障整机产品性能稳定性。

950V 超高耐压，宽温域稳定工作

额定漏源击穿电压950V（BV DSS 最小值），超高耐压余量充足，完美适配 800-950V 高压功率控制的电压需求；器件 dv/dt 耐冲击能力达 50V/ns，栅源极支持 ±30V 电压，过压耐受能力优异，可有效抵御高压供电环境下的电压波动与尖峰冲击；-55~+150℃全宽温域内耐压性能无明显漂移，在高低温极端工况下仍能稳定输出，适配复杂高压场景的电压动态变化需求。

6A 持续电流，23A 脉冲高裕量

25℃工况下支持6A 持续漏极电流，100℃高温环境下仍保持 4A 持续电流输出，充分满足高压大功率开关场景的常规电流需求；25℃下脉冲漏极电流可达 23A，脉冲电流裕量充足，完美适配光伏逆变、照明驱动等场景的瞬时大电流功率控制需求；器件 25℃下功率耗散达 78W，大电流工况下温升控制优异，无需额外扩流器件即可稳定运行，简化电路设计。

TO-252 紧凑型封装，散热适配性佳

采用TO-252 贴片紧凑型封装，是中小功率高压功率器件的经典选择，标准化引脚排列与小型化外形，大幅节省 PCB 布局空间，适配电源模块小型化设计需求；结壳热阻典型值仅 1.15℃/W，最大值 1.61℃/W，封装底部金属焊盘直接接触 PCB，通过大面积铜箔实现高效散热，可快速散除高压开关工况下产生的热量；完美兼容 SMT 贴片工艺，量产良率高，可直接替换同规格其他品牌器件，降低产品升级与替换成本。

集成 ESD 保护，低 FOM 优开关特性

器件集成 2000V HBM ESD 保护二极管，无需额外外围 ESD 防护器件，简化电路设计的同时提升器件抗静电能力，降低生产与应用过程中的静电损坏风险；优化器件动态特性，栅极总电荷（Qg）仅 15.6nC，反向传输电容（Crss）低至 0.7pF，栅极驱动损耗大幅降低；开通延迟时间 12ns、上升时间 28ns、关断延迟时间 64ns、下降时间 29ns，高频开关性能优异，适配高压场景的高频化设计需求，低 FOM 值进一步兼顾开关与导通效率。

60mJ 雪崩能量，全项严苛测试高可靠

单脉冲雪崩能量达60mJ（L=30mH），器件经过 100% DVDS 高压测试与 100% 单脉冲雪崩测试，抗浪涌、抗冲击能力突出，在电感负载开关、光伏逆变等场景下可有效吸收瞬时能量，避免器件损坏；体二极管恢复 dv/dt 达 50V/ns，抗电压尖峰能力强，反向恢复时间仅 292ns，体二极管正向电压典型值 0.83V，续流性能优异；零栅压漏极电流（IDSS）在 150℃下仅 5μA，栅源漏电流（IGSS）±10μA，器件静态漏损极低，待机功耗小。

JEDEC 工业级认证，宽温域适配工业场景

器件通过 JEDEC 工业级标准认证，专为工业级应用打造，工作与存储温度覆盖 - 55~+150℃，可适应工业控制、新能源发电等恶劣工业环境的温度变化；器件经过严苛的高压应力、温循、老化测试，在长期连续工作工况下稳定性与可靠性优异，批量供货能力强，满足工业级产品的大规模量产需求。

三、主流应用场景

LED/LCD/PDP 电视及显示器照明驱动

太阳能 / 新能源 / UPS 微型逆变系统

充电器高压电源模块

工业级高压电源供应器

高压电感负载开关电路

四、总结

CRJD1KN95G2E 是一款采用先进 CRM (CQ) Super_Junction 超结工艺、950V 超高耐压、750mΩ 低导通电阻、6A 电流承载、TO-252 紧凑型封装的高性能高压 SJMOS N-MOSFET，在导通损耗、开关特性、高压耐受、雪崩可靠性、封装适配性上实现全维度突破，相比传统平面 MOSFET 更能满足高压光伏 / 逆变、照明驱动、工业电源等场景的低损耗、高可靠、小型化应用需求，依托华润微在功率半导体领域的核心技术积累，成为高压大功率开关场景 N-MOSFET 应用的标杆之选。

佰祥电子作为华润微官方授权代理商，常备 CRJD1KN95G2E 原厂现货，可提供完整规格书、定制化应用方案、全流程硬件调试指导、样品快速申请及大规模量产技术支持，正品保障、价格优势显著、交货周期短，助力客户高压功率相关产品高效开发、稳定量产、快速抢占市场。

面向功率半导体市场高压化、高频化、小型化、高可靠的发展趋势，CRJD1KN95G2E 以 950V 超高耐压、750mΩ 低导通电阻、6A 额定电流、60mJ 高雪崩能量、TO-252 紧凑型封装、集成 ESD 保护、JEDEC 工业级认证的核心优势，成为高压大功率开关场景 N-MOSFET 应用的全新标杆方案。