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充电芯片反向漏电流10µA还是0.5µA?一年后电池差别巨大

06/02 17:47
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调试一些可穿戴设备或电子烟时,遇到过一个典型问题:产品关机后,电池仍然在慢慢掉电。最后查出来是充电芯片的反向漏电流太大。

普通充电芯片的电池端静态电流(Battery Reverse Leakage)一般在10µA~20µA甚至更高。而HT4093的数据是——0.5µA。

0.5µA是什么概念?

以一个200mAh的小容量电池为例:

如果漏电流20µA,每个月掉电约14.4mAh,一年掉电172mAh,几乎放空。

如果漏电流0.5µA,每个月仅掉电0.36mAh,一年约4.3mAh,几乎可忽略不计。

这意味着你的设备真正关机后,电池可以存放数年而不损坏。这对电子烟、无线传感器、便携医疗设备非常关键。

对比同系列产品

HT4054T:2µA(也不算差,但对于超高要求项目略高)

HT4054H:1µA

HT4056T:1µA

HT4056H:1µA

HT4088:0.5µA

HT4093:0.5µA

可以看到,HT4093和HT4088是静态电流最低的一档。而HT4089、HT4093都属于这个低功耗家族。

如何实现低漏电?

HT4093内部采用了自隔离技术:当VIN电压低于电池电压时,内部功率管完全关闭,同时阻止电流从BAT流向VIN。不需要外部二极管,也不依赖MCU控制。你只需要将电池直接接到BAT引脚,芯片就会自动完成所有保护。

实测建议

如果你产品对功耗极其敏感,可以这样测试:断开输入源,用高精度微安表串在电池与BAT引脚之间,产品进入关机或休眠模式时,读数应接近0.5µA(加上MCU漏电流可能稍高)。HT4093的这个指标,确实能给设计带来实实在在的续航提升。

如果你的设备空间极小,只能使用SOT23-5封装且对功耗要求没那么极致,HT4054H的1µA也是一个很好的平衡点。

华芯邦

华芯邦

华芯邦成立于2008年,是一家专注于模拟芯片、数模混合芯片、功率器件设计研发、先进封测的集成电路/半导体企业,总部位于深圳,同时在苏州、台北、美国设有芯片研发及工艺制程中心,在江苏、山东和广西自建芯片框架封装、基板封装、晶圆级封装等先进智造中心,集团总资产超10亿元,是国内为数不多的以Fab-Lite模式运作的芯片公司。 电源管理芯片/充电IC、音频功放芯片、MEMS传感器(硅麦/声学硅麦克风)、智能雾化充电芯片等半导体核心产品。

华芯邦成立于2008年,是一家专注于模拟芯片、数模混合芯片、功率器件设计研发、先进封测的集成电路/半导体企业,总部位于深圳,同时在苏州、台北、美国设有芯片研发及工艺制程中心,在江苏、山东和广西自建芯片框架封装、基板封装、晶圆级封装等先进智造中心,集团总资产超10亿元,是国内为数不多的以Fab-Lite模式运作的芯片公司。 电源管理芯片/充电IC、音频功放芯片、MEMS传感器(硅麦/声学硅麦克风)、智能雾化充电芯片等半导体核心产品。收起

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华芯邦成立于2008年,是一家专注于模拟芯片、数模混合芯片、功率器件设计研发、先进封测的集成电路/半导体企业,总部位于深圳,同时在苏州、台北、美国设有芯片研发及工艺制程中心,在江苏、山东和广西自建芯片框架封装、基板封装、晶圆级封装等先进智造中心,集团总资产超10亿元,是国内为数不多的以Fab-Lite模式运作的芯片公司。 电源管理芯片/充电IC、音频功放芯片、MEMS传感器(硅麦/声学硅麦克风)、智能雾化充电芯片等半导体核心产品。

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