芯耀
与非AI
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反极性保护归结为三种常见的拓扑结构：功率路径中串联二极管、功率路径中使用P沟道MOSFET，或者接地路径中使用N沟道MOSFET。
二极管是最简单的方案，无需驱动电路。但每流过一安培电流，它就会产生实实在在的正向压降——我们的器件在 10A时压降低于0.55V。两种MOSFET方案都需要简单的驱动电路，但能大幅降低正向压降10A时可低于0.12V。
P沟道版本不太常见，但也有供应。接地路径中的N沟道版本则避免了这种有限的选择。但它无法避免的是，其自身的导通电阻直接串在接地回路中，会偏移电路中其他所有元器件的接地参考点。
三种拓扑，代价体现在三个不同的地方：功率损耗、器件选择或接地完整性。
正确的选择取决于整个设计中，哪个代价是其他部分最难以承受的。
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