AI 算力重塑存储供需格局，本轮存储周期对比 2021-2022 行情解析

存储芯片价格上行态势仍在延续。进入 2026 年第三季度，DRAM 合约价环比继续上行 20%~30%，NAND Flash 涨幅同样超过 15%，存储合约价格已连续 20 个月维持上涨。行业中存在一个有意思的对比，部分 DDR5 存储芯片按重量折算的单价，已经达到较高水平。

不少供应链从业者习惯将当前行情对标 2021-2022 年存储涨价周期，但两轮行情背后的驱动逻辑存在本质区别。

一、本轮涨价：AI 服务器重构存储需求底层逻辑

上一轮存储涨价的核心动力来自手机、PC 等消费电子终端需求，周期特征十分典型：价格上涨速度快，一旦终端需求走弱，价格便会快速回落。

当前这一轮周期，需求结构发生根本性变化：AI 服务器正在把内存的核心应用载体，从手机、PC 这类终端设备，转向大规模 GPU 算力集群。

云厂商算力扩张，是本轮存储供给紧张的核心因素。根据高盛测算，2026 年 DRAM 供需缺口约 - 4.9%，NAND 供需缺口约 - 4.2%；HBM 供需矛盾最为突出，产能缺口可达 50%~60%。云厂商已经提前签订长期协议，锁定 2027 年一季度产能，并且接受高于 2026 年四季度的合约价格。这种提前锁定远期产能、高价预定下一季度供货的现象，在过去十几年存储行业周期中并不多见。

供给端的短板短期难以补齐。2023 至 2024 年原厂主动减产留下的供给缺口至今没有完全修复；存储晶圆新厂房从建设到量产，普遍需要 2~3 年的建设与产能爬坡周期。瑞银预测，2027 年 DRAM 需求同比增长 36.2%，但供给仅能增长 19.3%，供需缺口将扩大至 - 13.6%，属于近 30 年较为少见的供给紧缺格局。

二、各存储品类行情拆解：DRAM 供给偏紧，NAND 或提前迎来回调压力

DRAM：供需紧张程度最高

IDC 预测，2026 年全球 DRAM 市场营收将达到 4186 亿美元，同比大幅增长 177%，2026 全年存储产业总产值突破 5500 亿美元。HBM 作为 AI 服务器的核心配套存储产品，增长潜力突出：2026 年市场规模约 774 亿美元，同比 + 124%；美银预测，2027 年 HBM 市场规模有望攀升至 1528 亿美元。

NAND：同步涨价，但需警惕结构性回调

NAND Flash 跟随大盘同步上行，但属于结构性行情：AI 算力集群拉动企业级 SSD 需求，推高该细分品类的供给压力；而手机、消费级 SSD 对应的消费端需求依旧偏弱。多家机构预判，2027 年下半年 NAND 新增产能集中释放之后，该品类或将率先迎来价格回调压力。

三、机构观点分化：超级周期还是阶段性行情见顶？

针对本轮存储行情的延续性，各大投行与研究机构给出了不同判断。

谨慎派（伯恩斯坦）：涨价动能会逐步减弱，预计 2027 年上半年，本轮存储价格有望抵达本轮周期高点。

乐观派（高盛、美银、瑞银）：本轮行情并非普通的周期性反弹，而是 AI 算力扩张催生的产业超级周期，DRAM 供给紧张格局有望延续至 2028 年，甚至 2030 年。

行情沿着产业链逐层传导：存储原厂优先将产能与利润倾斜至 HBM、高端 DRAM 赛道；普通内存模组厂商处在上下游中间环节，毛利持续承压。下游服务器、整机厂商，2027 年一季度的芯片采购成本，已被长协订单锁定在较高水平。

四、总结

短期（2026 Q4 - 2027）来看，存储价格上行趋势难以快速反转，但涨幅会逐步收窄。行情的关键分水岭落在 2027 下半年之后：NAND 品类会率先承受供给释放带来的压力；DRAM 行情能否持续，核心取决于 AI 领域资本开支能否持续落地。

半导体行业从业者可以重点跟踪两个核心观测指标：

云厂商资本开支指引

HBM 新产能爬坡进度

数据来源：高盛、美银证券、瑞银、IDC、TrendForce 2026 年 9 月公开报告，统计口径 2026 Q2-Q3。

本文仅为行业公开信息整理与产业现象分析。

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