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• 头部原厂集体释放信号：存储紧缺周期拉长，2027 年缺口进一步扩大

  三星、SK 海力士、铠侠以及英伟达，多家产业链龙头观点趋于一致：AI 拉动的存储需求不是短期热度，供需缺口会持续放大，存储供应紧张的周期，比很多人预想的更长。 三星电子存储业务执行副总裁金宰俊在财报电话会上提到，结合全行业客户订单与需求测算，2027 年存储市场的供应压力会继续增加，供需缺口相比 2026 年进一步扩大。 存储产能有着天然的长周期属性：厂房建设、设备进场、晶圆工艺调试、良率爬坡到稳

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  11/07 09:41
• AI 驱动产能重构：存储成本向终端传导，工控、车规存储面临交期考验

  AI 算力需求持续拉动存储产业变革，上游原厂的产能分配变化带来的成本压力，已经传导至消费电子、工控、汽车电子等下游硬件领域。苹果、小米等终端厂商都公开反馈存储带来显著 BOM 成本压力。本文结合高盛、TrendForce 集邦咨询以及各大原厂财报公开资料，梳理 DRAM/NAND 供需格局、合约‑现货行情分化现象，为硬件研发、供应链采购提供产业参考。 苹果 CEO 库克在财报电话会议上指出，当前内

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  11/04 10:44

  dram NAND
• SK 海力士 Q3 财报解读：营业利润率 80% 创历史新高，DRAM、HBM 紧缺格局或延续至 2030 年

  存储大厂 SK 海力士最新交出的 2026 年 Q3 财报，多项盈利指标创下历史新高，叠加管理层对中长期供需格局的判断，为 DRAM 与 HBM 赛道释放了关键信号，值得 IC、硬件方案以及采购供应链从业者持续关注。 财报核心经营数据：2026 Q3 营收 104.62 万亿韩元（约 753 亿美元），同比增幅 327.9%，环比增长 32%；营业利润 83.33 万亿韩元（约 600 亿美元），

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  10/30 13:47

  dram SK海力士
• 当长鑫对苹果说"不"：国产DRAM的产能分配权，比技术突破更重要

  产业链确认长鑫存储拒绝就DRAM供货向苹果报价；与此同时，另一家匿名海外服务器制造商的DDR5采购需求同样未获回应。长鑫的理由很明确：优先保障国内供应，当前九成产能已锁定华为、小米、联想等本土品牌。 这不是"情怀驱动"的决策。Counterpoint数据显示，长鑫Q2全球DRAM市场份额已达10%，较去年同期4%翻倍，位列全球第四。当一家厂商用不到十年时间从追赶者变成份额前十的产业参与者，它做的每

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  10/28 10:38

  dram
• 高盛预警2027年DRAM缺口加剧：存储供应链的结构性重构与产业启示

  摘要：高盛最新研报指出，2026年全球DRAM供需缺口已达-4.9%，创过去15年极值，且2027年缺口将进一步扩大。在AI资本开支三年破1.4万亿美元的背景下，HBM产能虹吸效应正在重塑DRAM供应链格局，通用存储市场面临中长期结构性紧缺。 一、-4.9%缺口率：存储产业进入深度供不应求周期 高盛在8月研报中将2026年全球DRAM供需缺口锁定在-4.9%。在存储产业的历史周期中，-3%的缺口率

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  10/24 13:56

  dram
• 产业观察｜美光公布 DDR6、vHBM、G11 NAND 技术路线，存储 Q4 行情呈现结构性分化

  存储供应链近期两条主线值得硬件研发和 BOM 采购持续跟踪：一是美光于 10 月 22 日 OCP 峰会披露 DDR6、LPDDR6、vHBM、G11 NAND 全套技术规划；二是 2026 年 Q4 存储合约价格、供需格局持续分化，AI 算力需求和消费端需求走势出现明显背离。中长期技术路线和短期物料行情叠加，给项目选型、供应链预案带来新的参考依据。 一、美光四大存储技术路线梳理，量产窗口集中指向

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  10/23 14:58
• 存储行业观察：HBM 扩产提速、涨价红利收窄和赛道分化加剧

  进入 2026 年 10 月，存储行业接连释放三个关键节点信号：SK 海力士美国 HBM 新厂规划落地、头部模组厂业绩增速回落、美光持续加码企业级存储业务。 从上游原厂产能布局、中游模组盈利表现，到头部厂商战略倾斜，三大信号共同印证了行业的核心走向：AI 高端存储赛道持续加码，但全行业普涨的暴力红利期正在收尾，市场结构性分化进一步加剧。 一、SK 海力士美国 HBM 新厂落地 高端产能竞赛再升级

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  10/16 13:56

  存储 HBM
• 长鑫 4F² 架构技术突破：下一代 DRAM 演进与服务器存储格局

  随着摩尔定律逼近物理极限，传统 6F² DRAM 存储单元的密度提升瓶颈日益凸显，短沟道效应与漏电问题成为制程微缩的核心制约。4F² 垂直架构被行业公认为下一代 DRAM 的核心技术路线，通过晶体管结构从水平向竖立的变革，突破平面面积限制。 近期长鑫科技官宣自研4F² 架构与 VSG 垂直环绕栅极晶体管取得关键技术突破，相关公开专利族超 300 件，预计 2026 年底推出首款融合该架构的 DDR

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  10/15 10:53

  服务器 dram
• 供应链观察：惠普、戴尔启动长鑫存储 DRAM 产品认证，国产 DRAM 进入国际 PC 大厂验证环节

  存储供应链近期一条值得硬件研发与 BOM 采购关注的动态：据供应链消息，惠普、戴尔已启动长鑫存储 DRAM 产品认证工作。这意味着国内 DRAM 方案正式进入海外头部 PC 品牌的验证流程。 在此之前，联想已经在多款机型导入长鑫存储、长江存储的存储方案，部分北美上市机型也搭载国产 SSD，国产存储在 PC 端的落地已有先例。 存储行情倒逼：大厂开启多供应商验证 近段周期 DRAM 价格持续上行，压

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  10/13 09:19

  存储 戴尔
• 长鑫 LPDDR6 量产：技术规格、行业时间线与产业链影响分析

  0 引言 JEDEC 于 2025 年 7 月正式发布 LPDDR6 标准，标志移动内存进入新一代技术周期。2026 年 8 月 29 日，长鑫存储对外官宣 LPDDR6 内存芯片量产，成为行业内较早对外公布 LPDDR6 量产进展的厂商。该产品将率先在小米 18 Fold 折叠屏机型落地，搭配小米自研玄戒 O3 SoC。 本文将从产品规格、各家厂商进度、产业链影响、现存约束等角度，做客观产业分析

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  10/10 11:34
• 三星Q3利润率80%：DRAM涨价300%后，硬件工程师的BOM表正在失效

  摘要：三星Q3营业利润107.4万亿韩元（~5380亿元），同比+782.5%，全年有望登顶全球利润第一。DS部门半导体利润约110万亿韩元，其中DRAM业务利润率约80%，NAND业务利润率70%~75%。当存储颗粒的利润率高过台积电最先进制程，意味着这个行业已经从"制造业"变成了"资源开采业"。 一、80%的利润率，是什么概念？ 先上数据： 业务板块 Q3营业利润 利润率 同比变化 三星集团整

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  10/10 11:34
• 天玑 9600 Pro 技术解析：2nm 制程、LPDDR6 与端侧 AI 重构硬件设计范式

  9 月 15 日，联发科在深圳发布旗舰级 SoC 天玑 9600 Pro。该芯片采用台积电 2nm N2P 制程工艺，集成 330 亿 + 晶体管，搭载 30B 参数端侧大模型与 AI 原生 GPU 架构，在行业主流仍处于 3nm 制程节点的背景下，实现了制程代际跨越。 值得硬件设计领域重点关注的是，该平台同时首发支持 LPDDR6 内存与 UFS 5.0 存储，这一存储系统升级将对终端硬件设计带

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  10/03 10:38

  台积电 SoC
• GDDR、HBM、LPDDR 三大 DRAM 技术路线对比：原理、参数与硬件选型指南

  0 引言 大模型训练与端侧 AI 推理的爆发式增长，推动存储需求持续走高。HBM 大规模扩产大量消耗 12 英寸晶圆产能，已经引发整个 DRAM 行业的结构性供给紧张。 需要明确的是，GDDR、HBM、LPDDR 不存在绝对的优劣之分，每一条技术路线都是针对特定应用场景在带宽、功耗、成本、体积之间做出的权衡取舍。脱离实际场景单一对比纸面参数，往往会导致设计方案出现性能冗余、成本超支或者功耗超标等问

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  10/03 10:37

  HBM LPDDR
• HBM 与 LPDDR 在 AI 场景的技术选型：需求差异、场景边界与工程实践

  0 引言 大模型训练与推理业务的爆发，推动高带宽存储技术快速发展。HBM 凭借 3D 堆叠架构带来的超高带宽，成为 AI 训练集群的标配存储方案，行业一度形成 “AI 算力必选 HBM” 的选型倾向。 但随着 AI 产业从训练侧主导转向训练规模化、推理普惠化，边缘推理、云端高并发推理等场景快速增长，HBM 高昂的成本、紧张的产能与推理场景的需求出现错配。原本广泛应用于消费电子的 LPDDR 内存，

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  10/03 10:36

  HBM LPDDR
• 长鑫存储全球 DRAM 份额达到 7%：产业格局、产能现状与技术挑战

  0 引言 2026 年全球 DRAM 市场迎来标志性格局变化。 Counterpoint Research 发布的 2026 年第二季度内存追踪数据显示，长鑫存储全球 DRAM 市场份额提升至 7%，超越南亚科，位列全球第四大 DRAM 供应商。 全球 DRAM 行业依旧保持极高市场集中度：三星约 39%、SK 海力士约 26%、美光约 25%，三大海外厂商依旧占据市场主体。长鑫本次市场份额突破，

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  10/03 10:29

  dram
• AI 算力重塑存储供需格局，本轮存储周期对比 2021-2022 行情解析

  存储芯片价格上行态势仍在延续。进入 2026 年第三季度，DRAM 合约价环比继续上行 20%~30%，NAND Flash 涨幅同样超过 15%，存储合约价格已连续 20 个月维持上涨。行业中存在一个有意思的对比，部分 DDR5 存储芯片按重量折算的单价，已经达到较高水平。 不少供应链从业者习惯将当前行情对标 2021-2022 年存储涨价周期，但两轮行情背后的驱动逻辑存在本质区别。 一、本轮涨

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  09/30 10:25

  存储 AI算力
• DDR5 为什么比 DDR4 贵数倍？拆解架构、BOM 成本与供应链真相

  0. 前言 2026 年存储市场里一个很现实的问题摆在工程师和采购面前：同等容量的 DDR5 内存，市场零售价相比 DDR4 拉开巨大差距，部分规格价格达到 DDR4 的 2‑3 倍。不少人会疑惑，DDR5 涨价到底是原厂市场操作，还是硬件架构本身就带来硬性成本上涨？ 本文从架构改动、BOM 物料成本、供应链产能挤压三个层面拆解 DDR5 的涨价逻辑，同时给出硬件设计与采购的实操应对建议，方便项目

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  09/23 11:25

  DDR5 BOM
• 存储涨价还能持续多久？2026 下半年 DRAM 市场三大研判

  存储产业半年报系列｜第 6 篇（完结） 摘要：结合原厂半年报财务数据与供应链代理一线视角，避开纯机构预测，针对 2026 下半年存储行情给出三个务实判断，解析超级周期所处阶段、国产存储时间窗口、DDR3 结构性机遇，同时梳理行业潜在风险，为硬件研发、采购、产业从业者提供参考。 本系列前面五篇已经完成大量行业数据整理，本文不再堆砌繁复的数据，基于已经落地的财报数据，叠加供应链一线实操感受，交叉验证得

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  09/07 14:45

  存储 DRAM市场
• 长鑫 579 亿 IPO 落地：拿到全球 DRAM 第四，国产存储窗口期还有多久？

  前四篇我们梳理了全球存储产业格局、价格周期走势、海外三巨头以及二线厂商现状，本篇把视角转回国内，聚焦国产存储赛道。 2026 上半年国产存储发生两大标志性事件：长鑫科技 7 月 27 日登陆科创板，579 亿元募资创下科创板 IPO 历史新高；A 股六家存储相关企业上半年业绩集体冲高，江波龙净利润同比暴涨 71528%，虽然去年同期基数极低，但 105.77 亿元净利润绝对值，具备很强产业参考意义

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  09/04 16:47

  IPO 存储
• 铠侠净利暴涨 45 倍、华邦 DDR3 断供：AI 周期下二线存储厂商的逆袭逻辑

  此前系列文章，我们梳理过三星、海力士、美光上半年财报表现，本篇视角转向二线存储阵营：铠侠以及中国台湾四家存储企业（南亚科、华邦、威刚、力积电）。 在 AI 驱动的存储超级周期里，它们并非舞台主角，却各自吃到属于自身的行业红利：铠侠借 NAND 价格暴涨成为日本股王；华邦受益 DDR3 供给缺失拿到确定性红利；南亚科拿下传统 DRAM 产品定价权；威刚享受模组库存增值；力积电依靠资产出售实现利润暴增

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  09/02 15:43

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