GaN/SiC功率模块的高温互连要求如何改变贴片NTC的贴装路径

进入GaN或SiC阶段后，工作温度高于标准硅，原有的焊锡和粘合剂贴装方式需要重新评估，NTC在DCB上的互连方式也随之改变。

行业应用资料指出，尤其在功率模块中使用宽带隙半导体时，其工作温度比标准硅更高，因此有时需要变更构件的贴装方法。标准硅情况下可适用焊锡及粘合剂，但在更高温度下，需要在烧结过程中将构件安装至DCB上，或为了进行相互连接的贴装工作而使用金、银或铝丝进行键合连接。

从控制逻辑看，NTC热敏电阻配置于功率模块内部基板上，用于监测安装有模块的散热板温度。其端子连接在控制器的比较器上，当NTC热敏电阻电阻低于设置值时，控制器会减少所有半导体的电力，从而降低封装件内的温度。

在选型时，建议先核对贴装工艺与模块组装路径。Tateyama TCT系列为厚膜贴片热敏电阻，产品信息包括TCT6G型号，长度2.00±0.20 mm，宽度1.25±0.20 mm，厚度0.55±0.10 mm。电极材料为Thick film (Silver-Palladium)，端子材料为Thick film (Silver)。

行业经验提示，R/T公差极限和阻值漂移可作为NTC可靠性判断依据，区别于开路短路式失效。

对于TCT3G和TCT16G，产品信息还包括TCT3G长度1.60±0.15 mm，宽度0.80±0.15 mm，厚度0.50±0.10 mm；TCT16G长度1.00±0.05 mm，宽度0.50±0.05 mm，厚度0.35±0.05 mm。