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扫码加入大家看到硅电容可能会猜测，硅是电极，还是介质？其实它身上有三个常见的误区。
铝电容的铝、钽电容的坦都指的是阳极材料。硅电容也是如此。它的电极是掺杂硅，而介质是氧化硅或氮化硅。硅充当导体的角色，在电极里面掺杂高浓度的硅可以降低电阻。
氧化硅的介电常数很低，只有3.9，这意味着如果做成平板，容量会非常小。所以就在硅片上挖出很深的凹槽，和原来相比，放大了几十上百倍的有效电极面积，进而增大容量。MLCC靠层数，硅电容靠挖坑。
如果你想要的是超大容量，那硅电容确实满足不了你。因为它的优势在于稳且快：
响应快：ESL极低，仅为MLCC的十分之一，完美应对AI芯片瞬态电流；
不啸叫：无压电效应，工作声音分贝很低。
总结，硅电容不是用来比容量大小的，它是用半导体工艺挖出来的高频、高稳、近芯片去耦神器。
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