HC3407A 为惠海沟槽工艺低压 P 沟道 MOS 器件,额定参数 - 30V、-4.1A,适用于多类电源开关与 PWM 调光控制电路。器件依托沟槽工艺设计,具备稳定的导通电阻特性、较低栅极电荷,支持低至 - 4.5V 栅压驱动,适配低压控制场景,满足多类电子产品的功率开关需求。
惠海半导体原厂 HC3407A P 沟道 MOS 管器件核心特性
栅极电荷偏低,驱动损耗小,适合高频 PWM 控制回路
具备相应的功率与电流承载能力,可承担常规负载通断
符合无铅制程要求
惠海半导体原厂 HC3407A P 沟道 MOS 管典型应用场景
- PWM 调光控制回路
- 信号与电源负载开关
- 小型设备电源管理电路
该器件可在车灯、舞台灯、加湿器、雾化器、美容仪、蓝牙音箱、电弧打火机、马达驱动、逆变器、无线充电、POE 供电、无刷电机、电动工具、PD 快充、太阳能电源、防盗器、充电器、电动车转换器等设备方案中选用。
惠海半导体原厂 HC3407A P 沟道 MOS 管其他系列 MOS 器件参考
惠海沟槽工艺低压 MOS 管覆盖 VDs ±20V~±250V 区间,包含 P 沟道、N 沟道多型号,多种封装规格可选:
✅ SOT23-3L P 沟道:3401、10P03、5P04、4P06、5P10
✅ SOT23-3L N 沟道:3400、8N03、6N04、6N06、3N10、5N10、6N10、2N15、5N12、15N10、30N10、50N10、90N10、30N12、15N15、50N15、10N20
✅ PDFN5*6 / TO-252 N 沟道:30N03、60N03、90N03、120N03、100N04、90N04、30N06、50N06、90N06、120N06
✅ TO-252 P 沟道:100P02、60P06、30P10、50P10、20P15、20P20
✅ SOT89 N 沟道:15N10、12N06、40N06、20N03、40N06、15N15、10N20
✅ PDFN3×3 N 沟道:30N03、60N03、90N03、25N06、50N06、70N06、15N10、25N10、45N10、70N10、10N15
惠海半导体原厂-20VPMOS管、-30VPMOS管、-40VPMOS管选型:
HCD004P02L、HCK004P02L、HCK006P02L、HCD006P02L、HC3401M、HC3407Y、HC3407A、HCD006P03L、HCC010P03L、HCD010P03L、HCE010P03L、HCD016P03L、HCM016P03L、HC4P04M、HCC3P04、HC4P04、HC5P04、HC6P04M、HC010P04M、HC030P04M、HC40P59P、HC045P04M
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