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贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用

2021/08/23
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阅读需 2 分钟
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专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 晶体管性能优异,可为5G大规模MIMOLTEWCDMA系统中的蜂窝基站射频应用提供支持。

贸泽电子备货的Qorvo QPD0011是一款非对称双路放大器,采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封装。QPD0011具有30 W到60 W的可变输入功率、+48 V的漏极电压、3.3 GHz至.6 GHz的工作电压,以及高达13.3 dB的增益,并能在Doherty设计环境中实现高达90 W的超高效信号峰值功率。

为了便于开发,Mouser还提供了配套的QPD0011EVB1评估板。此平台包括一个示例应用电路,在与现有设计结合使用时可加快原型设计速度。QPD0011适用于宏蜂窝小区和微小区基站、有源天线以及非对称Doherty设计等应用。

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Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)提供各种创新半导体解决方案,致力于让我们的世界更美好。我们结合产品和领先的技术优势、以系统级专业知识和全球性的制造规模,快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 面向全球多个快速增长的细分市场提供解决方案,包括消费电子、智能家居/物联网、汽车、电动汽车、电池供电设备、网络基础设施、医疗保健和航空航天/国防。访问 www.qorvo.com,了解我们多元化的创新团队如何连接地球万物,提供无微不至的保护和源源不断的动力。

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