东京电子 | 推出12吋晶圆功率器件用蚀刻设备

CINNO Research 产业资讯，东京电子（Tokyo Electron Ltd.，以下简称为TEL）于2021年12月推出了一款用于300mm功率器件的蚀刻设备，名为“Tactras-UDEMAE”。TEL用于功率元器件方向的等离子体反应器（Plasma Reactor）曾在业界获得了最大交货量，而此款“Tactras-UDEMAE”设备系统将等离子体反应器的应用范围兼容至300mm，并将其安装在 Tactras 平台上。Tactras是一个高度可靠且高效的平台，已在 300 mm晶圆工艺中得到验证。

用于300mm功率器件的蚀刻设备一一Tactras-UDEMAE（图片出自：电波新闻）

该系统将现有的200mm晶圆中积累的工艺库（Process Library）灵活运用于300mm晶圆工艺，还配置了可以防止晶圆斜面（Wafer Bevel）区域产生颗粒异物的新功能，这是制造分立功率器件（Discrete Power Device）的关键能力。通过有效平衡晶圆温度、反应器（Reactor）内的压力、气体流量、RF（高频射频电源）等各种条件，成功在300mm晶圆上获得了均匀蚀刻效果。

TEL执行董事兼FS BUGM中原哲也表示：“基于车载半导体等通用型半导体的需求增加这一背景，意味着对半导体生产设备的需求也在增长，尤其是对功率器件和其他分立器件。其中，蚀刻技术在功率器件和其他分立器件的制造过程中变得比以往任何时候都重要。拥有丰富交货实绩的Tactras平台拥有庞大的安装基础，在晶圆传输速度和占地面积（Foot Print）方面都达到了全球最高水准，通过将该平台与新开发的用于 300 mm功率器件的等离子体反应器（Plasma Reactor）相结合，TEL成功提供了一种技术解决方案，可显著提高生产效率”。