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东沃电子千兆以太网POE静电浪涌保护方案，如下图：
从千兆以太网POE静电浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产、销售的低电容TVS二极管：DW03DLC-B（SOD-323封装）、5.0SMDJ58CA（SMC封装）。东沃电子技术团队设计的千兆以太网POE静电浪涌保护方案满足IEC61000-4-510/700μs 40Ω DM：0.5KV CM：6KV。
想了解更多有关千兆以太网POE静电浪涌保护方案、低电容TVS二极管型号、参数、特性、规格书及应用，欢迎与东沃电子沟通交流：136 7581 6901（微信同号）朱工！方案设计、EMC测试、样品供应、器件定制，东沃电子一站式为您服务！
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5M570ZM100I5N | 1 | Altera Corporation | Flash PLD, 17.7ns, 440-Cell, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MBGA-100 |
|
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暂无数据 | 查看 | |
| EP2C5T144C6N | 1 | Intel Corporation | Field Programmable Gate Array, 288 CLBs, 500MHz, 4608-Cell, CMOS, PQFP144, LEAD FREE, TQFP-144 |
|
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$29.68 | 查看 | |
| CR1220MFR | 1 | The Swatch Group Ltd | Primary Battery, Lithium Manganese Dioxide, 1220, 3V, 0.04Ah |
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暂无数据 | 查看 |
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1000M以太网POE供电浪涌静电防护方案及保护器件选型指南
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