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与非AI
DC-DC双向变换器VH=350V VL=50V IL=200A: BSM180D12P2C101
- Input/Output : VH=350VdcVL=50Vdc
IL=±200A
- GateDrive : Vd=18V
R source=2Ω
R sink=1Ω - Q1 : BSM180D12P2C101
SiC Power Module (1200V 180A)
- L1 : 100uH
- Tj : 100°C
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DC-DC双向变换器VH=350V VL=50V IL=200A: BSM180D12P2C101
IL=±200A
R source=2Ω
R sink=1Ω
SiC Power Module (1200V 180A)
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HMC799LP3E | 1 | Hittite Microwave Corp | Wide Band Low Power Amplifier, 0MHz Min, 700MHz Max, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, 16 PIN |
|
|
$31.73 | 查看 | |
| B39242B8328P810 | 1 | RF360 Holdings Singapore Pte Ltd | SAW Filter, 1 Function(s), 2442MHz, ROHS COMPLIANT, SMD, 5 PIN |
|
|
$1.57 | 查看 | |
| PMR210MB5220M100R30 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 0.022uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
|
|
$2.41 | 查看 |
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ROHM公司总部在日本京都，是著名电子元件制造商。公司1958年成立，开始制造电阻器件，公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块，核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
ROHM公司总部在日本京都，是著名电子元件制造商。公司1958年成立，开始制造电阻器件，公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块，核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
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