EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
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EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 36154 | 1 | TE Connectivity | (36154) PIDG R 22-16 COMM 22-18 MIL 10 |
|
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$0.17 | 查看 | |
| A114017 | 1 | Amphenol Corporation | Connector Accessory |
|
|
$0.08 | 查看 | |
| DB35-10 | 1 | SEMIKRON | Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, 28.50 X 28.50 MM, 10 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-5 |
|
|
$3.41 | 查看 |
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