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EOS备注：
• 一般EOS定义：“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因！
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备（由于成本和物理限制/最大额定值）。
• 要确定根本原因，需要尽可能了解设备失败的条件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0008701039 | 1 | Molex | Wire Terminal, 0.33mm2, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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暂无数据 | 查看 | |
| CRCW060322R0FKEA | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 22ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.12 | 查看 | |
| 2N2324A | 1 | Digitron Semiconductors | Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 100; Max TMS Bridge Input Voltage: 1; Max DC Reverse Voltage: 0.1; Capacitance: 0.1; Package: TO-39 |
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$15.36 | 查看 |
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