EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
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EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 08-50-0105 | 1 | Molex | Wire Terminal, ROHS AND REACH COMPLIANT |
|
|
$0.05 | 查看 | |
| B82477G4333M000 | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 33uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 5050, ROHS COMPLIANT |
|
|
$2.61 | 查看 | |
| GRM155R71C104KA88J | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 16V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.1uF, Surface Mount, 0402, CHIP, ROHS COMPLIANT |
|
|
$0.02 | 查看 |
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