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EOS备注：
• 一般EOS定义：“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因！
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备（由于成本和物理限制/最大额定值）。
• 要确定根本原因，需要尽可能了解设备失败的条件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002W-7-F | 1 | Diodes Incorporated | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
|
$0.06 | 查看 | |
| 0430250800 | 1 | Molex | Board Connector, 8 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Crimp Terminal, Receptacle, LOW HALOGEN, ROHS AND REACH COMPLIANT |
|
|
$0.71 | 查看 | |
| 1-1469492-9 | 1 | TE Connectivity | (1-1469492-9) MULTIGIG RT 9MM GUIDE/ESD UNKE |
|
|
$11.83 | 查看 |
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