EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
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EOS备注:
• 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
• 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
• EOS的损坏本身不是根本原因!
• EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
• 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
• 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
• 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
• 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FTSH-105-01-L-D-K | 1 | Samtec Inc | Board Connector, 10 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Receptacle, ROHS COMPLIANT |
|
|
$3 | 查看 | |
| CRCW040249R9FKEDC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 49.9ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP |
|
|
$0.01 | 查看 | |
| SIR870ADP-T1-GE3 | 1 | Vishay Intertechnologies | TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
|
|
$1.41 | 查看 |
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