LEADTECK领泰半导体LTS70N15FJ-V4

14小时前作者：香港光与电子有限公司

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LEADTECK领泰半导体LTS70N15FJ-V4

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本产品是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于DC/DC 电源转换器和工业电机驱动等应用。该器件采用先进的工艺制造，具有极低的导通电阻（R_DS(ON)）和高电流承载能力。

绝对最大额定值

参数	符号	单位	最小值	典型值	最大值
漏源电压	V_DSS	V	-	-	150
栅源电压	V_GSS	V	-20	-	20
连续漏极电流	I_D	A	-	-	70
脉冲漏极电流	I_DM	A	-	-	280
功耗	P_D	W	-	-	104

热特性

参数	符号	单位	最小值	典型值	最大值
结至环境的最大热阻	R_thJA	°C/W	-	-	20
结至壳体（漏极）的最大热阻	R_thJC	°C/W	-	1.2	-

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