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LEADTECK领泰半导体LTS70N15FJ-V4

05/11 08:35
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LEADTECK领泰半导体LTS70N15FJ-V4

775.54 KB

本产品是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于DC/DC电源转换器和工业电机驱动等应用。该器件采用先进的工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）和高电流承载能力。

绝对最大额定值

参数 符号 单位 最小值 典型值 最大值
漏源电压 VDSS V - - 150
栅源电压 VGSS V -20 - 20
连续漏极电流 ID A - - 70
脉冲漏极电流 IDM A - - 280
功耗 PD W - - 104

热特性

参数 符号 单位 最小值 典型值 最大值
结至环境的最大热阻 RthJA °C/W - - 20
结至壳体（漏极）的最大热阻 RthJC °C/W - 1.2 -

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