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扫码加入RF功率LDMOS晶体管、高耐用性N-通道、增强型横向MOSFET，这些晶体管专为频率从764到941 MHz的移动对讲机应用而设计。这些器件具有高增益、耐用性和宽带性能，使它们非常适合于移动无线电设备中大信号、共源放大器应用。
RF功率LDMOS晶体管是一种高性能功率放大器元件，适用于广泛的通信系统。在移动对讲机等设备中，这些晶体管的高增益和耐用性特点可以支持稳定而清晰的信号传输，同时其宽带性能也使其适用于处理多种不同频率的信号。
这些RF功率LDMOS晶体管采用了增强型横向MOSFET结构，提供了更好的性能和可靠性。它们被广泛应用于移动通信领域，如移动对讲机、基站和其他无线设备中的功率放大器设计。
总之，这些RF功率LDMOS晶体管是专为移动通信领域而设计的高性能器件，具有高耐用性、宽带性能和高增益，适用于移动对讲机等设备中的大信号放大器应用。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TIP42CG | 1 | onsemi | PNP Bipolar Power Transistor 100 V, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE |
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$0.94 | 查看 |
| SPH-002T-P0.5S | 1 | JST Manufacturing | Wire Terminal, 0.22mm2, ROHS COMPLIANT |
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$0.03 | 查看 |
| IHLP2525CZER4R7M01 | 1 | Vishay Intertechnologies | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 4.7 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 2525, GREEN |
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$1.18 | 查看 |
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