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ASC200N1200MT4碳化硅（SiC）MOSFET

08/12 11:15
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ASC200N1200MT4碳化硅（SiC）MOSFET

1.72 MB

碳化硅（SiC）MOSFET

1. 最高工作结温175℃；

2.碳化硅MOS管尤其在高压、高温和高频应用中表现突出。

3. 参数：    VDS：1200V   ID：200A   RDS(on) ：8mΩ

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