ASC800N1200MED碳化硅SiC模块1200V800A半桥

08/07 16:34 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC800N1200MED碳化硅SiC模块1200V800A半桥

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MED 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 常关功率模块，零拖尾电流，寄生电感小于15nH，开关损耗低；

4. 参数范围： VDS：1200V ID：800A RDS(on) ：2mΩ

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