ASC75N1200MT7X碳化硅

05/27 09:00 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC75N1200MT7X碳化硅

2.55 MB

ASC75N1200MT7X 1200V、75A、30mΩ、N 沟道碳化硅 MOSFET

采用 TO-263-7 封装，适用于高功率密度、高能效系统，高温工作稳定，助力小型化设计并降低电磁干扰（EMI）。

特性

第三代碳化硅 MOSFET 技术
低电容、高速开关
高耐压、低通态电阻
独立驱动源极优化封装
易并联、驱动简单
符合 RoHS、无卤素

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