ASR260N650D52C
碳化硅 MOSFET 采用 TO‑252‑3 封装,适配高功率密度、高能效系统,高温工作稳定,助力小型化设计并降低电磁干扰(EMI)。
引脚定义
栅极(引脚 1)
漏极(引脚 2)
源极(引脚 3)
特性
第三代碳化硅 MOSFET 技术
高耐压、低通态电阻 RDS (on)
符合 RoHS、无卤素
应用场景
LED 驱动器
PD 快充充电器
电脑适配器
空调
电动自行车充电器
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ASR260N650D52C
碳化硅 MOSFET 采用 TO‑252‑3 封装,适配高功率密度、高能效系统,高温工作稳定,助力小型化设计并降低电磁干扰(EMI)。
引脚定义
栅极(引脚 1)
漏极(引脚 2)
源极(引脚 3)
特性
第三代碳化硅 MOSFET 技术
高耐压、低通态电阻 RDS (on)
符合 RoHS、无卤素
应用场景
LED 驱动器
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空调
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