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• 电动汽车快速充电教程：破解兆瓦级充电的核心技术挑战

  《实现电动汽车快速充电教程》深入探讨兆瓦级电动汽车充电系统架构设计与相关器件，重点关注兆瓦级充电技术背后的挑战与创新，以及分立式方案和功率集成模块(PIM)方案如何助力构建可扩展、高效且可靠的快速充电基础设施。文章介绍了电力消耗趋势、电动汽车充电架构演进、兆瓦级充电系统架构等内容，并强调了工业流程电气化、超大规模数据中心和交通运输电气化的推动作用。此外，还详细介绍了橡树岭国家实验室(ORNL)构想的兆瓦级EVC系统及其架构特点，特别是其基于双有源桥(DAB)转换器的设计优势。

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  03/05 17:01

  电动汽车 充电系统
• 安森美工业图像传感器供电方案教程：图像传感器选型

  《工业图像传感器供电方案教程》详细介绍了稳压型降压电源、低压差稳压器(LDO)、Hyperlux CMOS图像传感器及其电源树设计。文章涵盖了电源树的作用、特性要求、噪声影响等内容，并提供了多种电源稳压器和LDO的推荐，包括Hyperlux系列传感器的功耗参数表和AP1302图像传感器协处理器的相关信息。

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  03/03 10:31

  图像传感器 LDO
• AI数据中心高压中间母线拓扑选型：堆叠式/ 单相/ 三相 LLC性能对比

  本白皮书探讨了高压IBC应用中的转换器拓扑结构与半导体技术，重点关注原边拓扑选择与器件评估。文中对比了三种拓扑结构（sC、1pC、3pC）的损耗、物料清单，并指出3pC凭借更低的RMS电流和简化的设计，具有成本效益和性能优势。

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  02/28 13:14

  转换器 拓扑结构
• AI数据中心高压中间母线转换器选型：GaN HEMT、SiC MOSFET等三种宽禁带功率器件对比

  本文介绍了高压中间母线转换器（HV IBC）在云计算供电架构中的应用，并对比分析了GaN HEMT、碳化硅MOSFET和SiC Cascode JFET三种宽禁带功率器件在高频开关条件下的性能。重点关注导通损耗、开关特性和缓冲电路需求。仿真结果显示，尽管三种器件的系统总损耗相近，但CJFET因其结构简单、驱动便捷，在成本方面具备显著优势。此外，三相LLC拓扑表现出更优的综合性能，降低了RMS电流并减少了元件数量。本研究为未来高压IBC设计提供了理论依据。

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  02/27 09:12

  转换器 SiC MOSFET
• 安森美工业图像传感器供电方案教程：电源树设计

  《工业图像传感器供电方案教程》详细介绍了稳压型降压电源、低压差稳压器(LDO) 和 Hyperlux CMOS图像传感器的应用。文章涵盖了电源树的设计原则、特性要求以及噪声影响等方面的内容，强调了选择合适稳压器的重要性。具体包括电源树架构、电源稳压器的功能、噪声抑制、瞬态响应、电压轨容差、LDO性能参数等内容。最后推荐了安森美T30LxPSR165 LDO作为高性能解决方案。

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  02/25 11:14

  稳压器 图像传感器
• 安森美工业图像传感器供电方案教程：降压转换器与LDO的优劣对比

  本文介绍了稳压型降压电源、低压差稳压器(LDO)及其在工业图像传感器供电方案中的应用。详细探讨了降压转换器的自发热效应考量、降压转换器与LDO的优劣对比，并提供了具体的计算实例。文章还讨论了外壳与模块对散热的影响，以及电网供电与离网供电的设计考量。最后，提出了选择降压转换器还是LDO的一般原则和方法。

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  02/18 08:05

  降压转换器 图像传感器
• 工业图像传感器供电方案教程：降压转换器的核心机制

  在工业相机应用中，电源设计至关重要，尤其是稳压器的选择直接影响图像传感器的性能和寿命。本文介绍了稳压型降压电源的关键组件及其工作原理，包括降压转换器的基本概念、同步降压转换器的特点、占空比的作用、连续导通与断续导通模式的区别，以及如何计算输入电流。通过理解这些原理，工程师可以更好地选择合适的电源解决方案，优化系统性能并降低成本。

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  02/13 11:08

  降压转换器 图像传感器
• T2PAK封装应用笔记：通过特定方法验证T2PAK散热设计的有效性

  T2PAK封装的应用笔记详细介绍了其贴装及热性能优化策略，涵盖了封装结构、焊接注意事项、MSL要求及贴装指南。通过优化TIM压缩量、机械夹紧结构及选配均热器，在紧凑型高功率应用中实现了低结壳热阻和高效散热。实验结果显示，扭矩增加至0.35 Nm时，热阻降低约12%，证明了机械夹紧力与热阻的强关联性。T2PAK封装凭借其大顶部散热接触面积和良好兼容性，成为散热受限设计的理想选择。

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  02/12 15:05

  封装 热阻
• 安森美公布2025年第四季度及全年业绩

  安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布公布其2025年第四季度及全年财务业绩，要点如下： 第四季度收入为15.30亿美元 第四季度公认会计原则（以下简称“GAAP”）和非GAAP毛利率分别为36.0%和38.2% 第四季度GAAP营业利润率和非GAAP营业利润率分别为13.1%和19.8% 第四季度GAAP每股摊薄收益和非GAAP每股摊薄收益分别为0.45美元和0.64美元 202

  与非网编辑

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  02/10 14:41

  人工智能 数据中心

  
• T2PAK封装应用笔记：换流回路设计建议

  T2PAK应用笔记详细介绍了T2PAK封装的贴装及其热性能的高效利用。内容涵盖了封装结构与关键规格参数、焊接注意事项、湿度敏感等级要求以及器件贴装最佳实践。特别强调了顶部散热封装的优势，通过并排布置器件实现半桥拓扑结构，有效降低了换流回路电感，提升了系统效率。此外，对比底部散热封装，T2PAK凭借其直接接触散热器或冷板的设计，显著提高了热性能，增强了功率处理能力。

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  02/10 09:26

  封装
• 收藏！安森美车规级LDO选型指南

  安森美提供多种高性能LDO产品，适用于电池供电应用。其产品具备宽广的输入和输出电压范围，低静态电流，高电源抑制比，以及多种封装形式，满足不同应用场景的需求。此外，部分产品还具备功能安全特性和车规级认证，确保在严苛条件下的可靠性。

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  02/05 12:39

  LDO
• 工业图像传感器供电方案教程：计算热耗散

  本文介绍了工业图像传感器供电方案中的稳压型降压电源、低压差稳压器(LDO)及其工作原理，并详细解释了如何计算热耗散和理解热阻(RθJA)。文章强调了散热的重要性，特别是对于LDO稳压器，在实际应用中，由于散热不良会导致芯片结温过高，影响系统稳定性。

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  02/04 14:02

  pcb 图像传感器
• T2PAK封装应用笔记：器件贴装

  T2PAK应用笔记详细介绍了T2PAK封装的贴装及其热性能的高效利用，涵盖了封装结构与关键规格参数、焊接注意事项、湿度敏感等级要求以及器件贴装的最佳实践建议。文章还提供了回流焊工艺各阶段的推荐参数值，并讨论了液态间隙填充材料、预成型间隙填充垫和陶瓷绝缘体三种热界面材料的应用。

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  02/03 14:23

  封装 回流焊
• T2PAK封装应用笔记：封装结构详解

  安森美推出T2PAK和BPAK两种顶部散热封装，专为汽车与工业高压应用设计，通过直接接触外部散热器实现高效热传导，显著提升散热性能。T2PAK凭借顶部散热与无引线设计的优势，优化了开关特性和电磁兼容性，成为高效率、高密度电源设计的理想选择。文章详细介绍了T2PAK封装的结构、关键规格参数、焊接注意事项、MSL要求以及最佳贴装实践建议。

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  01/29 16:47

  封装
• 工业图像传感器供电方案教程：低压差稳压器的工作原理

  《工业图像传感器供电方案教程》详细介绍了稳压型降压电源、低压差稳压器(LDO)和Hyperlux CMOS图像传感器的应用。文章深入探讨了LDO的工作原理，包括其压差电压的概念和影响因素，并提供了如何估算LDO输出电流的方法。此外，还强调了散热在确保LDO性能稳定性中的重要性，通过实例展示了不同LDO器件在温度极限下的表现差异。

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  01/27 10:25

  稳压器 图像传感器
• AI硬件上半场：增强型音频为王

  引言：AI硬件时代，所有的音频类产品都要用“增强型音频”重做一遍。” 过去三十年，耳机、音箱、手表、眼镜这些“只能当配件”，但在AI时代，它们会变成“最重要的入口和出口”——像眼睛、嘴巴、耳朵一样，必须与“大脑”（大模型）对接。而“音频为王”并不是一句口号，它是在这条“入口/出口”逻辑里自然推导出来的阶段性结论：当你要让AI真正嵌入生活，先让它听得见、说得出、用得上；让用户每天都愿意用、持续用。

  李坚

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  01/22 16:37

  音频 AI硬件

  
• 功率电路进阶教程：安森美SiC JFET和SiC Combo JFET 产品组合

  本教程介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用，重点在于其关键特性和如何推动电路保护系统的进步。文章还探讨了AI电力革命的趋势，特别是数据中心的电力需求增长，并展示了安森美（On Semiconductor）的产品组合，强调了SiC JFET和Combo JFET技术在提高能效和功率密度方面的优势。

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  01/21 13:26

  SiC 电路保护
• 功率电路进阶教程：SiC JFET 如何实现热插拔控制

  本教程详细介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用，重点在于评估和测试其性能，并探讨了如何利用SiC JFET实现热插拔控制。通过实验板评估，展示了结温感测、电流感测和过流保护等功能。同时，阐述了SiC JFET在限制浪涌电流和实现快速开关方面的优势，提供了详细的电路设计和参数计算方法。

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  01/16 15:21

  SiC 断路器
• 功率电路进阶教程：固态断路器采用SiC JFET的四个理由

  本文介绍了SiC JFET在固态断路器中的四大优势：1. **运行温度极低**：通过降低导通电阻减少热量积累；2. **封装尺寸极小**：采用堆叠芯片技术，节省空间；3. **可靠性高**：具备高脉冲电流能力和宽电压额定值；4. **易于使用**：低成本元件即可驱动组合式JFET和MOSFET。

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  1129

  01/15 11:42

  断路器
• 功率电路进阶教程：为什么要使用固态断路器？

  本教程介绍了SiC JFET在固态断路器中的应用，重点在于阐述其关键特性和如何推动电路保护系统的进步。文章详细解释了浪涌电流的概念及其危害，并强调了固态断路器相对于机电断路器的优势，特别是在应对不断增长的电力需求方面。通过评估和测试结果展示了SiC JFET产品的高性能特点，同时提供了多种应用场景和解决方案，包括浪涌电流限制和热插拔保护等功能。此外，还讨论了固态断路器在不同领域的应用前景，如智能电网、数据中心和工业自动化等领域。

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  01/14 15:34

  断路器 电路保护

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