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介绍
针对智能手机Type-C接口静电防护电路设计,DL0521P0L,采用硅工艺制造,工作电压5V,峰值脉冲功率100W,反向漏电流0.2μA,ESD防护等级满足IEC61000-4-2标准±20kV(接触放电)/±25kV(空气放电),以下是DL0521P0L的主要电气参数:
DL0521P0L采用半导体硅工艺设计,根据IEC61000-4-2,它可用于提供±20kV(接触放电)/±25kV(空气放电)的ESD保护,使手机Type-C接口芯片免受静电损伤,提高产品可靠性。
2、由于Type-C接口可以支持USB 2.0、3.0、3.1 Gen1或者3.1 Gen2等多种标准,,因此要求ESD器件结电容尽量低,否则会影响信号传输质量,DL0521P0L的结电容低至0.25pF,可以应用高速信号传输完整性。
3、手机内部空间有限,要求器件体积尽量小,DL0521P0L的封装尺寸是0.6*0.3*0.3mm,节省PCB占用面积,增加电路设计灵活性.
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1-Line Ultra Low Capacitance Bi-directional TVS Diode_DL0521P0L_Rev. 1_Mar, 2020_Marking:JD.pdf
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