功率MOSFET_功率MOSFET资讯

浅析助焊剂在功率器件封装焊接中的匹配要求

本文聚焦助焊剂在功率器件封装焊接中的应用环节与匹配要求，其核心作用为清除氧化层、降低焊料表面张力、保护焊点。应用环节覆盖焊接前预处理、焊接中成型润湿、焊接后防护。不同功率器件对助焊剂要求差异显著：小功率器件侧重工艺性与环保合规；中功率器件需平衡活性与抗热疲劳性；大功率器件则要求高温活性稳定、残留量低且绝缘性优异。匹配需遵循工艺、器件、合规三大原则，同时规避盲目追求高活性、忽视工艺兼容性等误区，精准匹配是保障焊接质量与器件可靠性的关键。

傲牛科技

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2025/12/13

助焊剂 SiC功率器件

JSM21844STR4A 700V带SD功能高低侧栅极驱动芯片

在电力电子设计领域，IR21844 作为经典的高压栅极驱动芯片，曾是众多工程师的 “老朋友”。但随着工业场景对电压、电流、抗干扰能力的要求不断提升，一款能全面替代且性能更优的芯片逐渐走进视野 —— 来自杰盛微的 JSM21844STR。从《JSM21844STR SOP-14.pdf》文档中不难发现，这款 4A/700V 带 SD 功能的高低侧栅极驱动芯片，在核心参数、保护机制、应用适配性上都

杰盛微半导体JSMSEMI

716

2025/08/29

驱动芯片栅极驱动IC

600KHZ固定频率24V/800mA同步降压转换器具有轻载PFM节能模式

PCD2203 是一款 3.8V-24V 的宽输入电压范围同步降压转换器，拥有 30V 输入过压保护，能够驱动 0.8A 的负载。内部集成两个低 RDSON 功率管，可减小导通损耗，提高效率。该芯片采用峰值电流模式控制，可以实现优秀动态性能，也使得外围补偿电路简单，由于开关频率固定为 600K，可以选用小尺寸电感、电容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封装，可以实现小尺寸的电源解决方案。具有15uA 静态工作电流与 2uA 关断电流，适用于低功耗要求的供电系统。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保护，输入 OVP 以及热关断功能。

集芯微电科技

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2024/04/25

同步降压转换器 N沟道MOSFET

40V/1A高性能小体积同步降压转换器外部只需极少元器件

PC2201是一款采用电流模式的降压开关电源芯片。在输入电压范围为4.7V~40V的情况下， PC2201可提供高达1A的输出电流。PC2201内部集成了两个N沟道MOSFET和同步功率开关，可以在不使用外部肖特基二极管的情况下提高电源转换效率。 PC2201还采用了专利的控制方案，在轻载时将芯片切换到节能模式，从而扩展了高效率运行的范围。

集芯微电科技

741

2024/04/25

同步降压转换器开关电源芯片

AMEYA360 | MOSFET器件选型考虑哪些因素？4大法则搞定MOSFET器件选型

功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件相关选型法则，相信看完你会大有收获。

AMEYA360

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2024/03/26

MOSFET 功率MOSFET

功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

选择一个工作点而不是另一个工作点作为数据表“最大”额定值的一些原因包括：选择工作点作为在生产线末端测试时用于筛选器件的相同工作点，或者出于营销或客户目的以指示某些所需的能量水平。将一个器件的UIS能力与另一个器件进行比较时，关键点是比较相同Tj(initial)温度下的Ipk vs tav绘图数据，而不是比较单个UIS额定值。

安森美半导体

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2024/02/27

功率MOSFET 雪崩击穿

英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。

与非网编辑

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2023/12/07

数据中心功率MOSFET

英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转

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2023/09/04

转换器 MOSFET

英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET

小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源（SMPS）里的同步整流等。此外，新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。

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2023/08/03

半导体行业 MOSFET

英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET

未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转

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2023/01/13

英飞凌 pcb

电动汽车充电逼近加油速度，要靠功率半导体了

从目前的发展势头看，电车充电速度追上加油速度，不再是镜花水月。