功率MOSFET

• MOSFET的6个翻车现场：写给硬件工程师的避坑清单

  功率MOSFET并非理想开关，需警惕ESD栅氧击穿、漏源尖峰雪崩、ID(max)误导、栅源瞬变击穿、SOA线性区超限及降额不足。设计应留电压裕度，按RDS(on)与热阻评估电流，优化布局、驱动和非对称Rg，平衡可靠性与效率。

  工控论坛

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  10/27 14:06

  MOSFET 功率MOSFET
• 全球首发量产碳化硅超级结MOSFET，这家本土芯片企业的五年征途和“工程哲学”

  告别“跟随” 国产第三代半导体的拐点时刻 过去几年，中国功率半导体产业的主流叙事是“国产替代”——在成熟技术路线上追赶国际巨头，以成本优势和供应链安全为突破口，逐步蚕食海外厂商的市场份额。在硅基IGBT、硅基超级结MOSFET以及碳化硅平面型MOSFET等领域，这种策略已经取得了阶段性成果。 但行业正在发生变化。 一方面，全球功率器件市场竞争日趋激烈。国际头部厂商凭借数十年积累的技术壁垒和产能优势

  高扬

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  09/09 13:36

  SiC 功率半导体

  
• XZ1852输入电压6-60V内置功率MOSFET的高集成度单片降压型开关模式转换器芯片

  一、产品核心概述 XZ1852是一款内置功率MOSFET的高集成度单片降压型开关模式转换器，专为6~60V宽输入供电场景设计，可稳定输出最高1.5A持续电流，具备优异的线电压调整率与负载调整率。 ‌控制架构优势‌：采用PWM电流模工作模式，环路稳定性强，可提供快速的负载瞬态响应，适配动态负载波动大的应用场景。 ‌灵活频率配置‌：外置FS引脚，可通过外接电阻自定义设置芯片工作频率，工程师可按需平衡E

  科芯创展

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  08/22 14:40

  转换器 功率MOSFET
• FP6195｜9-60V输入0.6A输出，智能灯具无线模块供电方案

  随着全屋智能的普及，智能灯具、传感设备、窗帘控制器广泛应用于家庭和商业空间。多数智能设备采用48V直流母线作为主供电，用来驱动各类智能产品，但WiFi、蓝牙、ZigBee这类核心控制模块，常规工作电压为3.3V、5V。 48V高压母线与低压控制模块之间存在巨大电压差，一旦电源转换环节设计不到位，就会出现无线模块频繁掉线、灯光频闪、待机功耗超标等问题，直接拉低产品使用体验，而60V耐压DC‑DC降压

  调光IC小雅

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  08/21 11:08

  DC-DC 降压转换器
• 一种专为满足电机驱动应用需求而设计的新型功率MOSFET技术的性能

  新型100V MOSFET技术（OptiMOS™ 8）集成了非线性阻尼器，能够有效抑制电压过冲和振铃现象，适用于硬开关拓扑。该技术通过优化单元设计，实现了低导通电阻和高电流承载能力，同时降低了与ROSS相关的损耗。在电机驱动应用中，新型器件在保持相同封装尺寸和外壳温度的情况下，提升了输出功率约8%，并且辐射发射水平更低。

  英飞凌

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  08/18 08:29

  电机驱动 功率MOSFET
• XZ3145 可调输出高达12V XZ3145：高集成小体积电流模式升压型DC-DC转换器解析1.

  1. 芯片概述 XZ3145是一款专为小体积便携设备设计的电流模式升压型DC-DC转换器，通过内置功率MOSFET、补偿网络和软启动电路，在保证高能效表现的同时大幅精简外围元器件数量，为消费电子类产品提供高性价比的升压供电解决方案。 2. 核心工作原理 芯片采用固定1.0MHz频率的PWM电流模式控制架构： 误差放大器同相端接入0.6V精密参考电压，配合反馈环路实现输出电压的精准稳压 内置0.2Ω

  科芯创展

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  08/10 16:34

  DC-DC转换器模块 功率MOSFET
• OC6800C 150℃过温降功率：随温度升高渐进限制输入，非硬关断—聚能芯半导体

  在EPC车载适配器、笔记本车载充电及工业升压转换等领域，电源系统常面临输入电压波动大、输出高压大电流、转换效率要求苛刻等设计挑战。聚能芯半导体原厂OC6800C作为一款专为升压、升降压应用设计的DC-DC转换器，内置100V/10A功率MOSFET，支持2.7V至36V宽输入电压范围、输出电压高达100V，采用固定频率PWM控制并集成轻载自动降频、可编程开关频率、软启动及过温保护等多重功能，以ES

  eefocus_4227309

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  08/07 17:03

  DC-DC转换器模块 功率MOSFET
• JSM4828——60V 双通道 N 沟道增强型 MOSFET

  翻开笔记本、数码相机、便携显示器的电源电路板，密密麻麻的元器件里，一颗 SOP-8 封装的功率 MOS 管，往往承担着整机电能变换、负载通断的核心重任。在消费电子小型化、长续航、低成本的行业需求下，双路集成 MOSFET凭借节省 PCB 面积、简化布线、降低寄生损耗的独特优势，逐步成为低压电源管理电路的标配器件。 作为深耕功率半导体领域的本土厂商，杰盛微（JSMSEMI）持续发力沟槽 MOS 工艺

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  08/07 08:37

  电源管理 DC-DC
• OCE100 内置软启动：有效抑制开机浪涌，保护输入源与负载

  在电动汽车、电动自行车、电瓶车、扭扭车、卡车等交通工具，以及追踪器、恒压源等工业与物联网应用中，电源系统常面临高压电池总线供电、严苛环境温度、低待机功耗等多重设计挑战。欧创芯原厂OCE100作为一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC转换器，输入电压范围覆盖8V至100V，输出电流可达1.2A以上，内置100V/1.5A功率MOSFET，采用固定频率PWM控制并集成轻载跳周期模式、软启动、过温保护

  eefocus_4227309

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  08/06 17:15

  DC-DC 功率MOSFET
• BUCK电路功率MOSFET的选型方法

  功率MOSFET选型涉及击穿电压、连续漏极电流、导通电阻等参数。击穿电压应高于最大输入电压并留有裕量。连续漏极电流需考虑平均电流和峰值电流。导通电阻影响转换效率，应尽可能减小。导通损耗占比在非同步降压电路约为20%，同步降压电路则更高。最终，通过合理分配总损耗并选择合适参数，可实现高效降压电路设计。

  电源先生

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  04/07 10:37

  BUCK电路 功率MOSFET

  
• 浅析助焊剂在功率器件封装焊接中的匹配要求

  本文聚焦助焊剂在功率器件封装焊接中的应用环节与匹配要求，其核心作用为清除氧化层、降低焊料表面张力、保护焊点。应用环节覆盖焊接前预处理、焊接中成型润湿、焊接后防护。不同功率器件对助焊剂要求差异显著：小功率器件侧重工艺性与环保合规；中功率器件需平衡活性与抗热疲劳性；大功率器件则要求高温活性稳定、残留量低且绝缘性优异。匹配需遵循工艺、器件、合规三大原则，同时规避盲目追求高活性、忽视工艺兼容性等误区，精准匹配是保障焊接质量与器件可靠性的关键。

  傲牛科技

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  2025/12/13

  功率MOSFET 助焊剂
• JSM21844STR4A 700V带SD功能高低侧栅极驱动芯片

  在电力电子设计领域，IR21844 作为经典的高压栅极驱动芯片，曾是众多工程师的 “老朋友”。但随着工业场景对电压、电流、抗干扰能力的要求不断提升，一款能全面替代且性能更优的芯片逐渐走进视野 —— 来自 杰盛微 的 JSM21844STR。从《JSM21844STR SOP-14.pdf》文档中不难发现，这款 4A/700V 带 SD 功能的高低侧栅极驱动芯片，在核心参数、保护机制、应用适配性上都

  杰盛微半导体JSMSEMI

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  2025/08/29

  驱动芯片 功率MOSFET
• 600KHZ固定频率24V/800mA同步降压转换器具有轻载PFM节能模式

  PCD2203 是一款 3.8V-24V 的宽输入电压范围同步降压转换器，拥有 30V 输入过压保护，能够驱动 0.8A 的负载。内部集成两个低 RDSON 功率管，可减小导通损耗，提高效率。该芯片采用峰值电流模式控制，可以实现优秀动态性能，也使得外围补偿电路简单，由于开关频率固定为 600K，可以选用小尺寸电感、电容，以及小尺寸的 SOT23- 6L 封装，可以实现小尺寸的电源解决方案。具有15uA 静态工作电流与 2uA 关断电流，适用于低功耗要求的供电系统。PCD2203 具有逐周期限流打嗝的 OCP 保护，输入 OVP 以及热关断功能。

  集芯微电科技

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  2024/04/25

  同步降压转换器 功率MOSFET

  
• 40V/1A高性能小体积同步降压转换器外部只需极少元器件

  PC2201是一款采用电流模式的降压开关电源芯片。在输入电压范围为4.7V~40V的情况下， PC2201可提供高达1A的输出电流。PC2201内部集成了两个N沟道MOSFET和同步功率开关，可以在不使用外部肖特基二极管的情况下提高电源转换效率。 PC2201还采用了专利的控制方案，在轻载时将芯片切换到节能模式，从而扩展了高效率运行的范围。

  集芯微电科技

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  2024/04/25

  同步降压转换器 功率MOSFET

  
• AMEYA360 | MOSFET器件选型考虑哪些因素？4大法则搞定MOSFET器件选型

  功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件相关选型法则，相信看完你会大有收获。

  AMEYA360

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  2024/03/26

  MOSFET 功率MOSFET
• 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？

  选择一个工作点而不是另一个工作点作为数据表“最大”额定值的一些原因包括：选择工作点作为在生产线末端测试时用于筛选器件的相同工作点，或者出于营销或客户目的以指示某些所需的能量水平。将一个器件的UIS能力与另一个器件进行比较时，关键点是比较相同Tj(initial)温度下的Ipk vs tav绘图数据，而不是比较单个UIS额定值。

  安森美半导体

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  2024/02/27

  功率MOSFET 雪崩击穿

  
• 英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

  数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。

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  2023/12/07

  数据中心 功率MOSFET

  
• Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

  日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转

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  2023/09/04

  MOSFET 转换器

  
• 英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET

  小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源（SMPS）里的同步整流等。此外，新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。

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  2023/08/03

  MOSFET 半导体行业

  
• 英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET

  未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转

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  2023/01/13

  pcb 英飞凌

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