氮化镓

• SiC迈入应用转折年，深耕发力多条赛道

  2025年，碳化硅与氮化镓行业取得显著成就，但仍面临产业格局调整与技术突破挑战。2026年，行业有望迎来技术突破与应用场景扩展的机会，但也需应对产业优化与市场竞争的压力。傅玥和计建新分别分享了他们对行业的见解，强调了降低成本、提高良率和增强可靠性的重要性。预计未来五年，第三代半导体将在多个领域得到广泛应用，成为主流选择。

  行家说三代半

  378

  17小时前

  碳化硅 氮化镓

  
• 英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN Drive HB 600 V G5

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。四款新产品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均采用半桥配置并在其中集成了两个600V氮化镓（GaN）开关，带

  与非网编辑

  184

  22小时前

  英飞凌 氮化镓

  
• GaN赛道持续升温，3家企业斩获融资

  氮化镓（GaN）领域迎来密集融资动态，合肥美镓传感、湖州镓奥科技、安徽先导极星三家企业分别在传感、功率、射频三大细分方向获得融资。国家级及地方国资、产业资本纷纷入局，显示出第三代半导体产业的强劲发展活力与投资价值。这些企业在各自领域取得显著进展，并计划加速产业化落地，推动国产替代进程。

  化合物半导体市场

  523

  03/03 10:07

  GaN 氮化镓
• 拆解报告：倍思140W 3C1A四口氮化镓充电器

  充电头网第3941篇拆解报告。 前言 本期为大家带来倍思一款140W四口氮化镓充电器的拆解，产品配置有三个USB-C接口与一个USB-A接口，其中两个USB-C接口支持最新的USB PD3.1标准，可实现最高140W（28V5A）输出，另一组C+A接口则支持30W快充，并兼容UFCS、PPS、QC等多种主流协议。 充电器在体积控制上表现尤为出色，凭借先进的氮化镓技术，其在3C1A四口配置的情况下，

  充电头网

  763

  02/13 10:44

  氮化镓 充电器
• 英飞凌发布《2026年GaN技术展望》：技术创新引领功率半导体领域氮化镓高速增长

  氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现状、应用场景及未来前景，为行业提供重要参考。 英飞凌科技氮化镓系统业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“GaN已经成为一个切实的市场应用，在多个

  与非网编辑

  1466

  02/10 16:45

  英飞凌 氮化镓

  
• 英诺赛科GaN产品打入谷歌供应链

  英诺赛科宣布其氮化镓产品成功进入谷歌AI硬件平台并签订供货协议，标志着公司在AI服务器和数据中心领域的领先地位。作为全球氮化镓领域的头部企业，英诺赛科正与意法半导体、安森美等多家国际知名企业展开深度合作，共同推动氮化镓技术在AI数据中心、汽车电子等领域的应用。预计未来几年内，英诺赛科将继续扩大其在全球高端市场的份额，引领氮化镓行业的技术创新与发展。

  化合物半导体市场

  735

  02/05 09:19

  氮化镓 英诺赛科
• GaN-on-Diamond，不只是把衬底换成金刚石

  GaN器件因其高性能被广泛应用于高功率射频和功率电子领域，但高功率密度带来的严重发热问题亟待解决。金刚石作为理想的散热材料，理论上可大幅降低结温，但实际应用中面临诸多挑战。首先，热源集中在GaN层，而金刚石仅处于热扩散路径末端，其效能依赖于上游结构的有效热传导。其次，GaN层的厚度设计需兼顾纵向传热和横向扩散，过薄可能导致热集中，过高则增加热阻。此外，过渡层虽引入额外热阻，却在工程可靠性方面发挥重要作用，有效缓解GaN与金刚石间的热膨胀系数失配问题。最终，GaN-on-Diamond的工程化不仅是材料的选择，更是系统级优化的过程，需在性能、可靠性、成本和可制造性间寻找最佳平衡点。

  DT半导体

  723

  02/02 16:00

  氮化镓 金刚石
• 半导体大厂强强合作，氮化镓产业迎变局

  全球AI浪潮与绿色能源转型推动第三代半导体氮化镓(GaN)产业进入黄金发展期，预计市场规模将以44%的年复合增长率增长。台积电通过技术授权模式，将其氮化镓技术转移给世界先进与格芯，形成更精细化的产业分工，为数据中心、电动汽车及人形机器人等前沿应用注入动力。世界先进获得台积电授权，推出全面的氮化镓代工平台，覆盖低至超高电压应用。台积电则聚焦AI芯片，通过授权方式继续支持行业发展。氮化镓的应用场景正从消费电子拓展至工业与科技领域，特别是在数据中心、新能源汽车及人形机器人中展现出巨大潜力。

  化合物半导体市场

  907

  01/30 11:15

  台积电 氮化镓
• 捷捷微电、晶升股份、蓝箭电子等6家厂商披露碳化硅进展

  在新能源汽车、AI算力中心等下游场景需求爆发驱动下，国内碳化硅产业正迎来技术迭代与产能扩张的双重突破。

  化合物半导体市场

  2044

  01/26 11:24

  半导体 碳化硅
• AI带火的不仅是存储，碳化硅氮化镓“闷声发大财”

  中国科学院院士郝跃团队首创“离子注入诱导成核”技术，显著提升了氮化镓微波功率器件的性能，解决了宽禁带半导体的散热难题。全球功率半导体市场持续增长，特别是碳化硅和氮化镓技术的发展迅速。碳化硅在高压应用中取得重大进展，而氮化镓在中低压高频场景中表现优异。然而，宽禁带半导体的封装与可靠性仍是技术瓶颈，亟待解决。硅基功率器件依然占据主导地位，但在高压、高效、小型化需求领域，宽禁带器件将逐步替代。先进封装技术已成为性能提升的关键，推动着功率半导体行业的整体升级。

  中国电子报

  1216

  01/26 10:26

  AI 氮化镓

  
• 智能GaN降压控制器设计——第1部分：考虑因素和测量方法

  作者：James R. Staley，高级产品应用工程经理 摘要 同步转换器的工作原理是交替切换控制开关和同步开关器件（通常是FET）的通断状态。这种操作的时序非常重要。如果关断一个开关与接通另一个开关之间的延迟时间过长，效率就会受到影响。如果延迟时间不够长，当大量电流流过这对开关时，就可能发生所谓的“直通”现象。这会显著降低效率，并可能损坏元器件。本文是关于智能GaN降压控制器设计的两篇文章中的

  与非网编辑

  631

  01/21 11:09

  转换器 氮化镓

  
• VisIC公司CEO：特斯拉/现代GaN汽车即将发布

  VisIC宣布现代汽车计划在2029年量产GaN车型，特斯拉演示车将在2026年进行路测。VisIC已完成B轮融资，获得现代汽车的战略投资，致力于在电动汽车与AI数据中心领域持续发力。公司已通过现代汽车的长期验证，计划进一步拓展中国市场，特别是电动汽车逆变器领域。未来，VisIC还将瞄准数据中心电源市场，利用其独特技术优势，提供高效、低成本的氮化镓解决方案。

  行家说三代半

  931

  01/20 10:30

  GaN 氮化镓

  
• 全球数十家企业布局氮化镓大市场

  氮化镓器件在全球范围内得到广泛应用，尤其在适配器、电源模块、服务器电源和车载电源等领域展现出巨大潜力。本文介绍了全球26家高压氮化镓企业，涵盖Fabless和IDM模式，分布在中国、美国、日本和其他欧洲国家。这些企业主要集中在长三角和珠三角地区，展示了氮化镓产业的区域集中趋势。文章还详细介绍了每家企业的特点和发展方向，为工程师提供了宝贵的参考资料。

  充电头网

  1120

  01/19 11:39

  氮化镓
• GaN融资密集落地，3家企业业务提速

  氮化镓赛道热度攀升，新微半导体母公司完成25.7亿元战略融资，助力业务增长；能讯半导体完成D轮融资，实现多项技术与产能突破；康讯半导体获得数千万级天使轮融资，加速氮化镓芯片商业化进程。

  行家说三代半

  1480

  01/15 10:43

  GaN 氮化镓
• 英诺赛科：GaN芯片累计出货20亿颗

  英诺赛科氮化镓功率芯片出货量达到20亿颗，同比增长显著，尤其在数据中心、汽车电子和消费电子领域取得进展，与多家知名企业达成合作，推动氮化镓技术广泛应用。

  行家说三代半

  1489

  01/08 10:41

  GaN 氮化镓

  
• 氮化镓衬底材料厂商IPO申请获受理

  2025年12月31日，上海证券交易所官网公示信息显示，广东中图半导体科技股份有限公司（简称“中图科技”）首次公开发行股票并在科创板上市的申请已正式获受理，保荐机构为国泰海通证券股份有限公司，审计机构为天健会计师事务所(特殊普通合伙)，律师事务所为北京市中伦律师事务所。

  化合物半导体市场

  596

  01/05 11:06

  氮化镓
• 氮化镓（GaN）：重塑电力电子的 “宽禁带革命”

  氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，因其出色的性能优势，正在取代传统的硅材料，成为电力电子领域的“金钥匙”。氮化镓的禁带宽度约为硅的3倍，使其具备更高的耐压性、热稳定性和开关速度，适用于快充、新能源汽车、数据中心等高要求领域。自20世纪80年代以来，氮化镓经历了从实验室到产业化的快速发展，特别是近年来在消费电子、新能源汽车和数据中心等领域的广泛应用，推动了行业的变革。 氮化镓的主要优点包括： 1. **高耐压性**：氮化镓器件能在更高的电压下工作，且导电层更薄，导通电阻更低。 2. **卓越的热稳定性**：工作温度可达200°C以上，显著优于硅器件。 3. **高速开关能力**：电子迁移率高，开关速度快，能量损耗低。 氮化镓技术已经取得了重大突破，并形成了多个关键发展阶段： 1. **基础研究期**：1980年代，氮化镓薄膜生长和p型掺杂技术取得突破，成功研制出蓝色发光二极管（LED）。 2. **技术突破期**：2000年代初，GaN-on-Si异质外延技术取得进展，降低了氮化镓器件的生产成本。 3. **产业爆发期**：2010年代，增强型氮化镓技术取得突破，解决了安全性问题，推动了消费电子和民用领域的应用。 4. **技术多元化期**：2025年至今，氮化镓技术呈现出多样化的发展态势，涵盖了横向和垂直结构、通用与专用领域。 氮化镓的应用场景非常广泛，主要包括消费电子、新能源汽车、数据中心、工业与新能源、航空航天和医疗电子等领域。在全球范围内，氮化镓市场正处于快速增长阶段，预计到2030年将达到50亿美元，成为半导体产业增长最快的细分领域之一。 然而，氮化镓的可靠性仍然是制约其大规模应用的重要因素。针对电荷陷阱、热管理和栅极泄漏等问题，科研机构和企业正在进行技术攻关，以提升器件的可靠性。未来十年，随着技术的进步和成本的下降，氮化镓将从高端领域走向大众市场，成为推动全球能源转换效率革命的关键技术。

  射频学堂

  4785

  2025/12/24

  氮化镓

  
• 两家头部大厂合作开发下一代氮化镓功率器件

  安森美与格芯签署合作协定，联手开发基于格芯eMode GaN-on-silicon制程的下一代氮化镓功率元件，预计2026年上半年提供样品。该技术应用于AI资料中心、电动汽车、能源基础设施及工业等领域，有望大幅提升能效与系统尺寸。安森美通过整合其硅基技术和格芯的GaN技术，加速SiC/GaN产能扩展与IDM供应链策略，同时格芯通过战略收购与技术授权，强化在全球供应链中的地位。

  化合物半导体市场

  838

  2025/12/24

  氮化镓 功率器件

  
• 又一半导体巨头押注GaN

  安森美在氮化镓领域频繁合作，与格罗方德和英诺赛科分别在中低压和中高压氮化镓功率器件上展开合作，旨在扩大生产规模和产品组合，应对快速增长的市场需求。安森美此举不仅为其自身带来发展机遇，还将推动全球氮化镓产业格局的变化，促进市场竞争和技术进步。

  行家说三代半

  1113

  2025/12/24

  GaN 氮化镓

  
• GaN引领机器人革新，6大企业齐推技术落地

  氮化镓技术正在推动机器人领域的产业升级，多家企业如步科股份、求远电子、固高伺创、科沃斯、世强硬创、新工绿氢等纷纷加大研发投入并推出相关产品。这些企业在机器人关节驱动、伺服电机、关节电机驱动等方面利用氮化镓技术提升了性能和效率，例如步科股份的氮化镓驱动技术优化了机器人关节驱动系统，求远电子的JMD101方案提高了关节电机驱动性能，而固高伺创的GSFDGaN驱动器则解决了伺服驱动系统中的应用难题。

  行家说三代半

  2263

  2025/12/20

  GaN 氮化镓

  

正在努力加载...