氮化镓

• 借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限

  太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。 其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。 比较 GaN、SiC 和 IGBT GaN 凭

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  12/11 12:39

  氮化镓 光伏逆变器

  
• Xiaomi Gallium Nitride Charger Teardown

  NOTE：Click here for the Chinese version. Remember Xiaomi's first-generation compact 33W GaN charger? With its small size and powerful performance, its biggest highlight was increasing the power densit

  曹顺程

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  12/10 08:48

  拆解 MOSFET

  
• 暴力拆解小米古董氮化镓充电器：超越苹果

  还记得小米初代的迷你33W氮化镓充电器吗？体积小巧、性能碉堡，最大的亮点在于将功率密度提升至1.05W/cm³，几乎只有苹果当时30W充电器的一半大小，却能提供33W的快充。产品采用方块造型设计，外壳为白色亮面处理，使得整体外观简洁而现代。充电器腰身上印有“xiaomi 33W”标识，采用固定式国标插脚，输出端配备单个USB-C输出接口。不仅支持小米自家私有快充协议，还全面兼容USB PD、PPS

  曹顺程

  2025

  12/08 08:41

  拆解 开关电源

  
• 美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉

  美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利1。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力2。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布，若这项初步裁决最终获得

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  12/04 07:05

  英飞凌 氮化镓

  
• 事关8英寸！2家GaN企业实现新突破

  致能半导体实现8英寸蓝宝石基氮化镓器件量产，新微半导体发布低压GaN工艺平台，多家氮化镓企业展示技术进展与合作机会。

  行家说三代半

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  12/03 09:30

  氮化镓 GaN器件

  
• 累计出货1亿颗！氮化镓电源芯片厂商启动IPO

  11月21日，东科半导体在安徽证监局办理了IPO辅导备案登记，正式启动了在A股市场的上市进程，辅导机构为东方证券，随后在同月23日被证监会官网列入已启动IPO的企业名单。此举标志着公司从高速成长的技术创新企业向资本市场迈出关键一步。

  化合物半导体市场

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  11/27 10:37

  氮化镓 IPO

  
• 安森美垂直氮化镓（vGaN） 技术10大高频问答

  安森美凭借垂直氮化镓(vGaN)技术引领电力电子领域的变革，提供高能效系统，革新性能与可靠性标准。垂直GaN因其独特的垂直电流路径，实现了更高的电流密度和工作电压，优于横向GaN、硅和碳化硅器件。安森美率先实现规模化量产，拥有众多专利和专业制造设施，确保卓越性能和可靠性。垂直GaN技术对于电动汽车、可再生能源和人工智能数据中心的发展至关重要，有助于提升系统能效、缩小体积和降低成本。

  安森美半导体

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  11/19 10:50

  GaN 氮化镓

  
• ST GaN/SiC 宽禁带器件：电机控制（家电 / 工业）高频高效小型化核心方案

  ST 的 GaN（氮化镓）与 SiC（碳化硅）宽禁带器件，以 “高频低损耗、高效节能、小型化降本” 为核心价值，精准适配家用电器（冰箱、洗衣机、空调）与工业电机驱动（伺服、高压电机）场景，通过提升 PWM 频率、降低开关损耗，实现效率提升 4%+、元件体积缩减 87%+、功率密度翻倍，成为电机控制升级的关键支撑。

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  11/18 17:08

  碳化硅 氮化镓
• 政策加码，河北聚焦碳化硅、氮化镓等领域

  近期，河北省工业和信息化厅发布《关于2025年第三代半导体、新型显示产业拟支持项目的公示》，重点聚焦碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等高端材料领域，通过财政补贴、产能扶持与产学研协同等方式，推动国内第三代半导体产业发展。

  化合物半导体市场

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  11/13 16:07

  碳化硅 氮化镓

  
• 格芯/英伟达两大半导体巨头“瞄准”氮化镓

  11月10日，格芯（GlobalFoundries）宣布与台积电（TSMC）签署技术授权协议，获准使用台积电的650 V与80 V氮化镓（GaN）技术。该授权旨在帮助格芯加速在美国本土推出面向数据中心、工业以及汽车市场的全新GaN电源产品组合，

  化合物半导体市场

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  11/12 11:24

  英伟达 氮化镓

  
• 功率氮化镓市场，迎来黄金时代

  氮化镓（GaN）作为第三代半导体的核心材料，正引领全球科技产业向高效能、低功耗转型。自2025年以来，GaN器件市场快速增长，预计到2030年市场规模将达到约30亿美元，年复合增长率高达42%。中国氮化镓产业从技术验证期迈向规模化商用阶段，头部上市公司通过技术创新与精准布局，推动全球氮化镓竞争话语权提升。GaN器件在消费电子、数据中心、汽车和工业等领域广泛应用，展现强劲的增长潜力。随着8英寸晶圆技术的推进和新材料、新结构的创新，GaN技术将迎来更多应用场景的规模化应用。

  半导体产业纵横

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  11/10 10:15

  氮化镓 功率器件

  
• 2025年Q3：近30个SiC项目密集推进

  2025年第三季度，全球第三代半导体产业在结构性调整中持续演进，碳化硅与氮化镓两大主线在产能建设、技术迭代与市场应用中均取得关键进展。行家说产研中心发布《第三代半导体产业季度分析报告Q3（2025）》，涵盖产业链业绩复盘、热点事件与趋势解读、产品与技术动态等内容，为行业提供全景洞察。

  行家说三代半

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  11/07 13:57

  SiC 碳化硅

  
• 12英寸GaN！又有2家企业传来新进展

  东微半导体与晶湛半导体达成战略合作，联手研发12英寸硅基氮化镓HEMT晶体管，推动氮化镓功率器件产业化。晶湛半导体拥有成熟12英寸硅基氮化镓技术，东微半导体业绩向好为其提供业务支撑。全球多家企业加速布局12英寸氮化镓，降低成本并提高产量。

  行家说三代半

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  10/23 17:38

  GaN 氮化镓

  
• GaN技术相比传统方案有哪些优势和不足

  GaN（氮化镓）技术是一种基于宽禁带半导体材料的创新技术，具有高电子迁移率、高击穿场强、高热导率及优异的物理化学稳定性，使其在高频、高效、大功率及高温环境下表现卓越，广泛应用于5G通信、新能源汽车、快充电源、雷达系统及光电子领域，显著提升设备性能与能效，同时推动系统小型化与轻量化发展。GaN（氮化镓）技术相比传统方案在多个维度展现出显著优势，但也存在一些局限性，具体如下： 一、GaN技术的核心优势

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  10/10 16:24

  GaN 氮化镓
• 英飞凌 CoolGaN技术助力提升环隆科技PoE以太网供电器应用的电源性能

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）为环隆科技股份有限公司（UMEC）提供CoolGaN™功率晶体管，应用于其新型250 W网络以太网供电（PoE）适配器。英飞凌CoolGaN™晶体管具备极高的可靠性和卓越的性能，助力环隆科技开发更安全且高效节能的技术，以应对当今电力系统的多重挑战。这些解决方案广泛适用于电信、工业电子、医疗

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  10/10 10:09

  英飞凌 氮化镓

  
• 【2025九峰山论坛】破局摩尔定律：异质异构集成如何撬动新赛道？

  在半导体产业不断演进的历程中，异质异构集成技术正逐渐成为推动行业突破现有瓶颈、迈向全新发展阶段的关键力量。在这样的产业变革背景下，九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会于武汉光谷盛大召开，吸引了来自美国、比利时、奥地利及中国等多国的行业领军企业高管与技术精英共襄盛举。会议期间，超200场主题演讲密集释放前沿洞察，其中异质异构集成技术平行论坛吸引了众多目光，业内权威科研机构、领军企业及专家代表汇聚一堂，

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  10/03 11:03

  氮化镓 异构集成
• 拆解报告：施耐德电气21W 1A1C氮化镓快充86面板

  充电头网第3776篇拆解报告。 前言 施耐德电气有限公司（Schneider Electric SA）是全球能效管理和自动化领域的专家，由法国施耐德兄弟于1836年建立，拥有超过13万名员工，为全球100多个国家的能源及基础设施、工业、数据中心及网络、楼宇和住宅市场提供整体解决方案。 充电头网采购了施耐德电气的一款86快充面板，产品设有一个两孔和一个三孔插座，用于220V AC输出，一侧还设有1A

  充电头网

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  09/28 18:35

  快充 氮化镓
• DB HiTek启动650V氮化镓HEMT工艺客户支持计划

  /美通社/ -- 全球领先的8英寸特色晶圆代工厂DB HiTek宣布，其下一代功率半导体平台 -- 650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺开发已进入最终阶段。该公司还将于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆(MPW)项目。 与传统硅基功率器件相比，氮化镓半导体在高压、高频及高温工作环境下具备卓越性能，功率效率出众。特别是650V增强型氮化镓HEMT，凭借其高速开关性能与稳健的运

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  09/11 10:37

  氮化镓 美通社
• 英飞凌携手台达共同开发高功率密度电源模块， 加速数据中心电源架构升级

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与台达电子工业股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）强化既有合作伙伴关系，共同开发高功率密度电源模块，为超大型数据中心的AI处理器提供领先的垂直供电解决方案。这是双方共同推动AI数据中心迈向低碳化与数字化的重要一步。 英飞凌OptiMOS™系列 TDM225

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  08/29 07:11

  英飞凌 碳化硅

  
• 贝尔金推出行业首款ZSP氮化镓充电器，重新定义快充能效新标准

  上海2025年8月27日 /美通社/ -- 全球消费电子领导品牌贝尔金（Belkin）今日宣布正式发布其首款搭载ZSP（Zero-Standby Power，零待机功耗）技术的GaN充电器——Z-Charger。这款创新产品标志着快充技术迈入超低待机功耗新时代。 贝尔金Z-Charger融合了创新的ZSP芯片与先进的D-mode GaN*（氮化镓）技术，在实现高功率快充和小巧体积的同时，将待机功耗

  美通社

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  08/28 08:39

  快充 充电器

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